[发明专利]碳化硅MOSFET去饱和保护的温度补偿电路及方法

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET器件的去饱和保护电路的温度补偿方法，其特征在于包括：

获取碳化硅MOSFET器件热敏器件的采样电压，并获取MOSFET器件驱动电路的基础电压；

根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿；

当进行温度补偿时，将热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，实现对去饱和保护电路的温度补偿。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件的去饱和保护电路的温度补偿方法，其特征在于，根据热敏器件的温度系数确定采用相应的温度补偿，包括：

如果热敏器件是正温度系数热敏器件，则采用适用于正温度系数热敏器件的温度补偿；

如果热敏器件是负温度系数热敏器件，则采用适用于负温度系数热敏器件的温度补偿。

3.根据权利要求2所述的碳化硅MOSFET器件的去饱和保护电路的温度补偿方法，其特征在于，进行正温度系数热敏器件的温度补偿时，将正温度系数热敏器件的采样电压和MOSFET器件驱动电路的基础电压进行运算获得阈值电压，通过阈值电压对去饱和检测阈值进行修正，包括：

当热敏器件温度上升时，测得正温度系数热敏器件的采样电压V₁上升，经过运算后修正的阈值电压V_OUT1随之上升，当去饱和电路产生的检测电压高于阈值电压时，将认为功率管中的导通电流超过保护值，则控制输出触发保护的命令。

4.根据权利要求2或3所述的碳化硅MOSFET器件的去饱和保护电路的温度补偿方法，其特征在于，适用于正温度系数热敏器件的温度补偿采用的电路包括第一级修正运算电路和第二级修正运算电路；

第一级修正运算电路包括电阻R₁、电阻R₂、电阻R₃和运算放大器A₁，第二级修正运算电路包括电阻R₄、电阻R₅、电阻R₆、电阻R₇、电阻R₈和运算放大器A₂；

电阻R₁和电阻R₂的一端分别连接运算放大器A₁的正向输入端和反向输入端，电阻R₁的另一端连接采样电压V₁，电阻R₂的另一端接地，电阻R₃的两端分别连接运算放大器A₁的反向输入端和输出端；电阻R₄和电阻R₇的一端分别连接运算放大器A₂的正向输入端和反向输入端，电阻R₄的另一端连接运算放大器A₁的输出端，电阻R₄与运算放大器A₂的正向输入端之间并联连接有电阻R₅和电阻R₆的一端，电阻R₅的另一端连接基础电压V₂，电阻R₆的另一端连接地GND，电阻R₇的另一端也接地GND，电阻R₈的两端分别连接运算放大器A₂的反向输入端和输出端，运算放大器A₂的输出电压为V_OUT1。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MOSFET器件的去饱和保护电路的温度补偿方法，其特征在于，正温度系数热敏器件的温度补偿的阈值电压V_OUT1为：

V_OUT1＝k₁V₁+k₂V₂