[发明专利]一种宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法，该软磁铁氧体材料原料包括主成分和副成分，所述主成分包括Fe₂O₃、ZnO和NiO，所述副成分包括Y₂O₃、Nb₂O₅、V₂O₅和MnCO₃。本发明宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料能在‑85℃～230℃的宽温范围内工作，在0.01MHz～5MHz频率区间，初始磁导率μ_i为509～641，比损耗系数tgδ/μ_i仅为16.78×10^‑6，饱和磁通密度B_s≥393mT，矫顽力H_c＜123A/m，居里温度T_c＞230，且其还具有工作频率高、高频损耗小的特点。因此，本发明宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料不仅具有高的初始磁导率和高的饱和磁通密度，而且还具备更宽的工作温度及更低的损耗。

技术领域

本发明涉及软磁铁氧体材料技术领域，具体涉及一种宽温低损耗NiZn软磁铁氧体材料及其制备方法。

背景技术

NiZn软磁铁氧体材料是一种重要的电子信息材料，在通信、电子等领域有着非常广泛的应用，它具有高的电阻率ρ、高截止频率、高初始磁导率μ_i、低损耗、低温度系数等优点，可广泛应用于高频电感磁芯、脉冲变压器磁芯及抗EMI器件等。现有的NiZn软磁铁氧体材料初始磁导率大多低于500，且其工作温度范围窄(-40℃～80℃)，高频损耗大，不适合作为宽温高品质电感器及脉冲变压器磁芯材料。

CN 103693949 ACN 111517775 A公开了一种耐热冲击NiZn铁氧体材料及其制备方法，原料由主成分和添加剂组成，所述主成分各组分含量为：Fe₂O₃：65.0wt％～68.0wt％，NiO：11.0wt％～13.0wt％，ZnO：16.0wt％～20.0wt％，CuO：3.0wt％～6.0wt％；添加剂包括玻璃粉，占总重量0.1wt％～1.0wt％；以占玻璃粉的重量百分比计，玻璃粉包括40.0wt％～70.0wt％的SiO₂，2.0wt％～10.0wt％B₂O₃，1.0wt％～10.0wt％Na₂O，1.0wt％～10.0wt％K₂O，2.0wt％～6.0wt％Al₂O₃，1.0wt％～8.0wt％BaO，0.1wt％～1.0wt％Fe₂O₃，0.1wt％～1.0wt％NiO,0.1wt％～1.0wt％CuO，0.1wt％～1.0wt％ZnO。该专利报道在10KHz～1MHz频率区间，起始磁导率μ_i为400±25％；饱和磁感应Bs(4000A/m)为430±5％mT；居里温度Tc≥200℃。

CN 104030673 B公开了一种高性能超细NiZn铁氧体的制备方法，所获得的最优磁性能如下：饱和磁化强度M_s＝58.23emu/g，矫顽力H_c＝16.58Oe，剩余磁化强度M_r＝2.27emu/g。