[发明专利]一种具有应变对冲结构的UVB-LED及其制备方法

权利要求书

1.一种具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述具有应变对冲结构的UVB-LED包括依次层叠布置的蓝宝石衬底、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、第一应变对冲层、第二应变对冲层、电流扩展层、调制掺杂有源层、电子阻挡层、p型AlGaN空穴注入层和p型GaN接触层；

所述第一应变对冲层和第二应变对冲层均为Si掺杂的AlGaN膜层，且所述第一应变对冲层的Al组分百分数大于第二应变对冲层的Al组分百分数。

2.根据权利要求1中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述n型AlGaN电子注入层、第一应变对冲层、第二应变对冲层、电流扩展层的Al组分百分数满足：100％x₁≥x₄≥x₂x₃≥30％，其中x₁表示n型AlGaN电子注入层的Al组分百分数，x₂表示第一应变对冲层的Al组分百分数，x₃表示第二应变对冲层的Al组分百分数，x₄表示电流扩展层的Al组分百分数。

3.根据权利要求2中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述n型AlGaN电子注入层、第一应变对冲层、第二应变对冲层的Al组分百分数满足：(x₁+x₃)/2+15％≥x₂≥(x₁+x₃)/2-15％，其中x₁表示n型AlGaN电子注入层的Al组分百分数，x₂表示第一应变对冲层的Al组分百分数，x₃表示第二应变对冲层的Al组分百分数。

4.根据权利要求2中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述第一应变对冲层的厚度为1～2000nm，且掺杂浓度为1ⅹ10¹⁷～2ⅹ10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求1中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述第二应变对冲层的厚度为1～2000nm，且掺杂浓度为1ⅹ10¹⁷～5ⅹ10¹⁹cm^-3。

6.根据权利要求1中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述调制掺杂有源层为Al_aGa_1-aN/Al_bGa_1-bN周期结构，Al_aGa_1-aN势垒层的Al组分百分数a为20％～60％，Al_bGa_1-bN势阱层的Al组分百分数b为10％～40％。

7.根据权利要求6中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述调制掺杂有源层中，Al_aGa_1-aN势垒层厚度为1nm～20nm，Al_bGa_1-bN势阱层厚度为0.1nm～5nm，Al_aGa_1-aN势垒层与Al_bGa_1-bN势阱层的周期为1～20。

8.根据权利要求6中所述的具有应变对冲结构的UVB-LED，其特征在于，所述Al_aGa_1-aN势垒层的掺杂浓度为1ⅹ10¹⁷～2ⅹ10²⁰cm^-3。