[发明专利]存储器的驱动电路、驱动方法、存储器及存储系统

权利要求书

1.一种存储器的驱动电路，其特征在于，包括：第一电流镜单元、至少两个第一开关、电压源、第二电流镜单元、第二开关以及充电单元；其中，

所述第一电流镜单元，输入端通过第一个所述第一开关耦接所述电压源，输出端通过第二个所述第一开关耦接所述第二电流镜单元的输入端，所述第二电流镜单元的输出端用于耦接存储单元；

所述第一电流镜单元，被配置为在第一个所述第一开关和第二个所述第一开关导通期间，基于所述电压源传输的参考电流产生输出电流并传输至所述第二电流镜单元；

所述第二电流镜单元包括：第一半导体电路和第二半导体电路；其中，所述第一半导体电路的第一端耦接所述第二开关的第一节点，所述第二半导体电路的第一端耦接所述第二开关的第二节点，所述第一半导体电路的第二端耦接第二个所述第一开关，所述第二半导体电路的第二端耦接所述存储单元，所述第一半导体电路的第三端和所述第二半导体电路的第三端耦接；

所述充电单元，一端分别耦接所述第二开关和所述第二半导体电路的第一端，另一端耦接所述第二半导体电路的第三端，被配置为在所述第二开关导通期间，根据所述输出电流进行充电，以使所述第二半导体电路的第一端电压与所述第一半导体电路的第一端电压相等；

所述充电单元，还被配置为在所述第二开关关断期间进行放电，以维持所述第二半导体电路的第一端电压不变；

所述第二半导体电路，被配置为在第一个所述第一开关、第二个所述第一开关和所述第二开关关断期间，输出驱动电流；其中，所述驱动电流传输至所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述存储器的驱动电路，还包括第一使能信号线、第二使能信号线和驱动控制单元；

所述第一使能信号线，被配置为传输第一使能信号；

所述第二使能信号线，被配置为传输第二使能信号；

所述第一开关，耦接所述第一使能信号线，被配置为在所述第一使能信号为高电平时导通，低电平时关断；

所述第二开关，耦接所述第二使能信号线，被配置为在所述第二使能信号为高电平时导通，低电平时关断；

所述驱动控制单元，分别与所述第一使能信号线和所述第二使能信号线耦接，被配置为根据读取操作指令、编程操作指令或擦除操作指令控制所述第一使能信号线传输第一使能信号，且控制所述第二使能信号线传输第二使能信号。

3.根据权利要求1所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括：第一电流镜和第二电流镜；其中，

所述第一电流镜和所述第二电流镜的结构相同；

所述第一电流镜的输入端通过第一个所述第一开关与所述电压源耦接，所述第一电流镜的输出端与所述第二电流镜的输入端耦接，所述第二电流镜的输出端通过第二个所述第一开关耦接所述第二电流镜单元的输入端。

4.根据权利要求3所述的存储器的驱动电路，其特征在于，所述存储器的驱动电路还包括：第三个所述第一开关，所述第一电流镜包括第一晶体管和第二晶体管，所述第二电流镜包括第三晶体管和第四晶体管；其中，

所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极耦接，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的源极耦接，所述第一晶体管的栅极还与所述第一晶体管的漏极耦接，所述第一晶体管的漏极通过第一个所述第一开关与所述电压源耦接，所述第二晶体管的漏极通过第三个所述第一开关与所述第三晶体管的漏极耦接；

所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极耦接，所述第三晶体管的源极与所述第四晶体管的源极耦接，所述第三晶体管的栅极还与所述第三晶体管的漏极耦接，所述第四晶体管的漏极与第二个所述第一开关耦接；

所述第一晶体管和所述第二晶体管包括P型晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管包括N型晶体管。