[发明专利]显示模组及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210684884.1 | 申请日: | 2022-06-14 |
公开(公告)号: | CN115132794A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 张言;王鹏;李玉良 | 申请(专利权)人: | 荣耀终端有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张延薇 |
地址: | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 模组 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示模组及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域。所述显示模组包括显示基板和防护膜层,显示基板具有包括相对背离设置的第一侧和第二侧,显示基板包括第一非弯折部、第二非弯折部和弯折部,弯折部位于第一非弯折部和第二非弯折部之间,且第一非弯折部通过弯折部弯折至第二非弯折部的第二侧;防护膜层覆盖在显示基板的第一侧,且防护膜层在显示基板上至少覆盖弯折部,防护膜层包括黏胶层和高分子防护层,高分子防护层设置于黏胶层背离显示基板的一侧。显示模组应用于显示装置,由于高分子防护层由高分子材料制成,使得在具备相同的防护效果时,高分子防护层的厚度相对更小,从而可以进一步缩窄边框。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别涉及一种显示模组及其制备方法、显示装置。
背景技术
随着柔性显示技术的发展,手机、平板电脑等电子显示装置逐渐向全面屏、窄边框发展。在OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光半导体)显示装置中,通过对OLED显示基板进行弯折来实现显示边框的缩窄。
如图1和图2所示,目前,为保护显示基板100的弯折区,通常会在显示基板100的弯折区的外侧涂覆BPL(bending protect liquid,绑定区保护液),BPL为固化胶,在固化后形成弯折区的保护层1。在进行弯折区的涂胶时,通常在弯折区进行点胶,利用BPL自身的流动性流平,之后通过光照进行固化,BPL经光照固化后形成的保护层1对于显示基板100的弯折区起到保护作用。
但是,现有技术中的BPL的涂覆方式使得对于保护层1的厚度控制较差,且若要起到一定的保护作用,需要相对较厚的保护层1,而若保护层1较厚,则导致弯折后的保护层1与显示区之间的最大距离相对较大,在图1中,A-B方向为显示基板100的延伸方向,由于保护层1的厚度较厚,因此使得弯折后的保护层1在A-B方向上凸出于显示基板100的距离越大,为遮挡保护层1等结构,在显示装置中的边框的宽度(对应图1方向则为A-B方向的距离为边框的宽度)增加,若显示基板100的弯折区位于显示装置的底部,则通过显示装置的下边框11遮挡保护层1等结构,参见图1和图2,下边框11的宽度为H。当保护层1的厚度增加,则下边框的宽度H随之增加。综上,现有技术中由于保护层1较厚,导致显示装置的边框相对较宽。
发明内容
本申请提供一种显示模组及其制备方法、显示装置,以实现对于显示基板的弯折区的保护的同时进一步缩窄边框。
本申请的技术方案如下:
本申请第一方面提供一种显示模组,显示模组包括:
显示基板,所述显示基板具有包括显示区的第一侧和背离所述第一侧的第二侧,所述显示基板包括第一非弯折部、第二非弯折部和弯折部,所述显示区位于所述第二非弯折部,所述弯折部位于所述第一非弯折部和所述第二非弯折部之间,且所述第一非弯折部通过所述弯折部弯折至所述第二非弯折部的第二侧;
防护膜层,所述防护膜层覆盖在所述显示基板的第一侧,且所述防护膜层至少覆盖所述弯折部,所述防护膜层包括黏胶层和高分子防护层,所述高分子防护层设置于所述黏胶层背离所述显示基板的一侧。
本申请提供的显示模组的有益效果在于:由于防护膜层设置在显示基板的第一侧,且至少覆盖弯折部,因此在将显示基板弯折后,防护膜层位于弯折部的外侧,防护膜层对于弯折部起到保护作用。由于防护膜层包括黏胶层和高分子防护层,黏胶层用于将高分子防护层粘贴到显示基板上,高分子防护层用于提高对于弯折部的保护效果。相比于现有技术中的点胶MCL形成的防护膜层,包括黏胶层和高分子防护层的防护膜层,由于高分子防护层由高分子材料制成,使得在具备相同的防护效果时,高分子防护层的厚度相对更小,从而可以进一步缩窄边框。
在一些实现方式中,所述防护膜层还覆盖所述第二非弯折部,所述防护膜层具有走线区,所述走线区在所述第二非弯折部位于所述显示区的外侧,所述走线区设置有金属走线或半导体走线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的