[发明专利]半导体装置及传输位置校准方法在审
| 申请号： | 202210683426.6 | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN115172242A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 田君一;高飞翔;冯琳 | 申请（专利权）人： | 上海广川科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;吴世华 |
| 地址： | 200444 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 传输 位置 校准 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
机械手；
定位基座、基准片及定位插销，所述定位基座设有至少一个定位孔，所述基准片设有对应所述定位孔的至少一个基准孔，对应所述定位孔及所述基准孔的至少一个所述定位插销；其中，
所述机械手传送所述基准片至所述定位基座上方的初始位置，所述定位插销依次穿过所述基准孔及所述定位孔，所述基准片由所述初始位置移动至基准位置。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述定位孔的数量为1个，且设于所述定位基座的中心。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述基准片的形状对应晶圆的形状，所述定位基座的形状包括圆形，且所述圆形的直径小于或等于所述晶圆的直径。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述晶圆的尺寸包括2英寸、3英寸、4英寸、6英寸、8英寸及12英寸中的一种。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述定位基座及所述定位插销的材料包括奥氏体铁钼不锈钢。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述基准片的材料包括碳纤维。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：左/右支架，分设于所述定位基座的两侧，且包括对应设置的N层左/右支撑片，所述基准片经所述机械手分次传送至各层，对应层的左/右支撑片支撑所述基准片，N≥1。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置应用于真空腔体或大气腔体。
9.一种半导体装置的传输位置校准方法，其特征在于，包括：
步骤S01：定位基座设有至少一个定位孔，基准片设有对应所述定位孔的至少一个基准孔，机械手传送所述基准片至所述定位基座上方的初始位置并记录所述初始位置；
步骤S02：定位插销依次穿过所述基准孔及所述定位孔，所述基准片由所述初始位置移动至基准位置并记录所述基准位置；
步骤S03：对比所述基准位置及所述初始位置获得机械手偏差量。
10.如权利要求9所述的传输位置校准方法，其特征在于，左/右支架分设于所述定位基座的两侧，且包括对应设置的N层左/右支撑片，所述基准片经所述机械手分次传送至各层，对应层的左/右支撑片支撑所述基准片111，分别记录各层对应的初始位置及基准位置，并获得对应层的机械手偏差量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
