[发明专利]基于高折射率电介质增强分子表面光声信号的方法在审
| 申请号： | 202210673427.2 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN115153431A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 张莹;方晖 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | A61B5/00 | 分类号： | A61B5/00 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 折射率 电介质 增强 分子 表面光 信号 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于高折射率电介质增强分子表面光声信号的方法，其特征在于：通过高折射率电介质制成的GaP二聚体在近红外区域的超低损耗来实现分子信号的光声信号增强。
2.根据权利要求1所述的基于高折射率电介质增强分子表面光声信号的方法，其特征在于：通过所述GaP二聚体对分子探针的信号进行增强。
3.根据权利要求1所述的基于高折射率电介质增强分子表面光声信号的方法，其特征在于：将分子放置于所述GaP二聚体的间隙中，使得分子获得较大的光吸收能力。
4.根据权利要求1所述的基于高折射率电介质增强分子表面光声信号的方法，其特征在于：通过高折射率电介质制成的GaP二聚体，光吸收为零，其本身不产生光声信号。
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