[发明专利]具有连接至栅极金属化部的二极管链的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件(500)，包括：

晶体管单元(TC)，所述晶体管单元包括具有第一导电类型的源极区(110)和栅电极(155)，其中，所述源极区(110)被形成在宽带隙半导体部分(100)中；

二极管链(DC)，所述二极管链包括被形成在所述宽带隙半导体部分(100)中并且串联电连接的多个二极管结构(DS)，其中，每个二极管结构(DS)包括具有所述第一导电类型的阴极区(180)和具有互补的第二导电类型的阳极区(190)；

栅极金属化部(330)，所述栅极金属化部与所述栅电极(155)电连接并且与所述二极管链(DC)的阳极区(190)中的第一个阳极区电连接；以及

源电极结构(310)，所述源电极结构与所述源极区(110)电连接并且与所述二极管链(DC)的阴极区(180)中的最后一个阴极区电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述栅极金属化部(330)和所述二极管链(DC)的阳极区(190)中的第一个阳极区形成第一欧姆接触(OC1)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中，所述源电极结构(310)和所述二极管链(DC)的阴极区(180)中的最后一个阴极区形成第二欧姆接触(OC2)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中，对于每对相邻的二极管结构(DS)，布线结构(341)与该对相邻的二极管结构(DS)中的第一二极管结构的阴极区(180)形成所述第二欧姆接触，并且与该对相邻的二极管结构(DS)中的第二二极管结构的阳极区(190)形成所述第一欧姆接触。

5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括：

具有所述第一导电类型的二极管阱(170)，其中，所述二极管链(DC)的每个阳极区(190)延伸至所述二极管阱(170)之一中。

6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中，多个所述晶体管单元(TC)被形成在所述宽带隙半导体部分(100)的中心区域(610)中，其中，外围区域(690)至少部分地围绕所述中心区域(610)，并且其中，所述二极管链(DC)被形成在所述外围区域(690)中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述二极管阱(170)从所述宽带隙半导体部分的第一表面(101)延伸至具有所述第二导电类型的横向延伸区域(125)中，其中，所述横向延伸区域(125)从所述中心区域(610)向外、在所述宽带隙半导体部分(100)的横向外表面(103)的方向中延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中，所述横向延伸区域(125)将所述二极管阱(170)彼此隔开。

9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，

其中，所述晶体管单元(TC)的栅电极(155)是条形的，其中，所述栅极金属化部(330)包括在所述外围区域(690)中形成的栅极流道(336)，并且其中，所述栅极流道(336)和所述栅电极(155)电连接。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中，所述二极管链(DC)的所述二极管阱(170)沿着与所述栅极流道(336)的最接近的线部分的纵横向延伸部分正交的方向被布置。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中，所述二极管链(DC)的所述二极管阱(170)沿着与所述栅极流道(336)的最接近的线部分的纵横向延伸部分平行的方向被布置。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的半导体器件，

其中，所述源电极结构(310)包括在所述第一表面(101)上、在所述中心区域(610)中形成的源极焊盘(311)。