[发明专利]垂直腔面激光器封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述垂直腔面激光器封装结构包括基板、激光器芯片以及驱动电路芯片，所述激光器芯片和所述驱动电路芯片间隔设置在所述基板上，所述基板上沉积有第一氧化物层，所述第一氧化物层上设有薄膜电晶体，所述薄膜电晶体上沉积有第二氧化物层，所述第二氧化物层上蚀刻有金属布线。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述第一氧化物层为二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述第二氧化物层为二氧化硅层。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述薄膜电晶体通过铟镓锌氧化物制备而成。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面激光器封装结构，其特征在于，所述薄膜电晶体通过低温复晶矽制备而成。

6.一种垂直腔面激光器封装结构的封装方法，其特征在于，所述垂直腔面激光器封装结构的封装方法用于制备如权利要求1-5中任一项所述的垂直腔面激光器封装结构，所述封装方法包括：

在基板上制作出激光器芯片以及驱动电路芯片；

在基板上沉积第一氧化物层，激光器芯片和驱动电路芯片位于所述第一氧化物层内；

沉积第一氧化物层后执行化学机械平坦化制程以进行压平；

在第一氧化物层上制作位于所述激光器芯片上的薄膜电晶体；

在所述第一氧化物层上沉积第二氧化物层；

在所述第二氧化物层上蚀刻出金属布线，所述驱动电路芯片通过所述金属布线和所述薄膜电晶体连接。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面激光器封装结构的封装方法，其特征在于，所述在所述第二氧化物层上蚀刻出金属布线的步骤之后，所述封装方法还包括：

将所述基板反转180°后，对所述基板进行切割以减小所述基板的厚度。