[发明专利]发光器件及其制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种发光器件，包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的发光功能层；

其中，所述发光功能层包括发光层，位于所述发光层和所述第一电极之间的第一阻挡层，位于所述发光层和所述第二电极之间的第二阻挡层；且

所述发光层包括主体材料和客体材料；

其特征在于，

所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的至少一层掺杂有所述客体材料。

2.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，所述第一阻挡层掺杂有客体材料。

3.根据权利要求2所述的发光器件，所述主体材料为(4,4′-双(N-咔唑基)-9,9′-螺二芴。

4.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率时，所述第二阻挡层掺杂有客体材料。

5.根据权利要求4所述的发光器件，所述主体材料选自(8-羟基喹啉铝)、(1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)和(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的发光器件，当所述主体材料的电子迁移率与空穴迁移率基本相同时，所述第一阻挡层和第二阻挡层掺杂有客体材料。

7.根据权利要求6所述的发光器件，所述主体材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯和(4,4′-双(N-咔唑基)-9,9′-螺二芴的共混物。

8.根据权利要求6所述的发光器件，所述发光功能层还包括位于所述第一阻挡层和第一电极之间的第一传输层；

其中，所述第一传输层掺杂有所述客体材料。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的发光器件，所述客体材料为选自双(2-(2′-苯并噻吩基)吡啶-N,C3′)(乙酰丙酮)合铱、三(2-苯基吡啶)合铱、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)合铱和三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱的一种或多种金属铱配合物。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的发光器件，所述客体材料的掺杂浓度分别为0.5-3％。

11.一种显示装置，包括至少一个子像素，所述至少一个子像素包括根据权利要求1至10中任一项所述的发光器件。

12.一种发光器件的制备方法，包括依次形成第二电极、发光功能层和第一电极；

其中，形成所述发光功能层包括依次形成第二阻挡层、发光层和第一阻挡层，所述发光层包括主体材料和客体材料；

其特征在于，所述制备方法还包括采用所述客体材料对所述第一阻挡层和第二阻挡层中的一者或二者进行掺杂。

13.根据权利要求12所述的制备方法，当所述主体材料的电子迁移率小于空穴迁移率时，采用所述客体材料掺杂所述第一阻挡层；

当所述主体材料的电子迁移率大于空穴迁移率时，采用所述客体材料掺杂所述第二阻挡层；

当所述主体材料的电子迁移率与空穴迁移率基本相同时，采用所述客体材料掺杂所述第一阻挡层和第二阻挡层。

14.根据权利要求13所述的制备方法，当所述主体材料的电子迁移率与空穴迁移率基本相同时，形成所述发光功能层还包括在所述第一阻挡层和第一电极之间形成第一传输层；且

所述制备方法还包括采用所述客体材料掺杂所述第一传输层。

15.根据权利要求12至14中任一项所述的制备方法，所述客体材料的掺杂浓度分别为0.5-3％。