[发明专利]一种IGBT器件制造方法在审
| 申请号： | 202210656143.2 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115377186A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 史伟民;蔡斌君 | 申请（专利权）人： | 上海恒灼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 | 代理人： | 佘大鹏 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种IGBT器件制造方法，其特征在于，包括：
终端区、设置于所述终端区内的有源区及设置于所述有源区内的栅极区，包括以下步骤：
S1、将IGBT的正面结构完成；
S2、将IGBT的背面进行减薄；
S3、通过一次深结注入，形成一次N+缓冲层；
S4、在步骤S3的基础上再进行一次深结注入，形成二次N++缓冲层；
S5、通过多次P型杂质背面注入与背面匀胶并形成光刻图，完成后去除光刻胶；
S6、进行激光退火工艺与背面金属工艺。
2.如权利要求1所述的一种IGBT器件制造方法，其特征在于，步骤S3中第一次深结注入，其中注入结深为2～30um。
3.如权利要求2所述的一种IGBT器件制造方法，其特征在于，步骤S4中机械能给第二次浅结注入，且注入深度为0.5～10um，形成二次N++缓冲层。
4.如权利要求3所述的一种IGBT器件制造方法，其特征在于，步骤S5中，第一次P型杂质背面注入，背面匀胶并形成光刻图形后进行第二次P型杂质背面注入，注入完成后去除光刻胶。
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