[发明专利]一种在BaFe2

权利要求书

1.一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤A、称取反应原料，反应原料包括Ba、Cs、Fe、As以及他们之间的化合物FeAs、AeAs中的几种，其中Ae为Cs或Ba；

步骤B、将配比后的反应原料球磨3～6h；

步骤C、将球磨后的反应原料密封后烧结，即得Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜，其中0 x 1。

2.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，各反应原料之间的摩尔比为Ba：Cs：FeAs：AeAs=1-x：x：y：（10-y），其中2≤y≤10。

3.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，所述烧结升温速率为1～10 ℃/min，烧结温度为600～1300℃, 烧结保温时间为5～40h。

4.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，所述烧结后降温，降温速率为1～10℃/min。

5.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，步骤A和步骤B均在惰性气体氛围下操作。

6.根据权利要求5所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。

7.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，所述球磨采用球磨机，球磨速率为200～400rpm；球磨中间开盖将粘连在球磨罐壁上的原料清理，并用研钵碾碎、混合均匀，然后再次进行球磨，如此反复3-4次即可。

8.根据权利要求1所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法，其特征在于，所述FeAs、CsAs或BaAs的制备方法包括：根据计量比称取Fe、As、或Cs、As、或Ba、As；球磨3～6h，球磨转速为200-400rpm，中间开盖将粘连在球磨罐壁上的原料清理，并用研钵碾碎、混合均匀，然后再次进行球磨，如此反复3～4次即可；密封后烧结，升温速率为1～10℃/min，烧结温度为200～700℃，烧结保温时间为5～40h。

9.根据权利要求1～8任一项所述的一种在BaFe₂As₂单晶基底上制备Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜的方法制备的Ba_1-xCs_xFe₂As₂超导薄膜在电子学器件中的应用。