[发明专利]一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种铌酸钠基陶瓷材料，其特征在于，所述铌酸钠基陶瓷材料的化学式为：(Na_1-2xBi_x)(Nb_1-x-yTa_yTi_x)O₃，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.2。

2.根据权利要求1所述的一种铌酸钠基陶瓷材料，其特征在于，所述x满足如下条件：0.04＜x≤0.1。

3.根据权利要求1或2所述的一种铌酸钠基陶瓷材料，其特征在于，所述y满足如下条件：0.05＜y≤0.15。

4.根据权利要求3所述的一种铌酸钠基陶瓷材料，其特征在于，所述y满足如下条件：0.1＜y≤0.15。

5.权利要求1～4中任一项所述铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)以Na₂CO₃，Bi₂O₃，Nb₂O₅，Ta₂O₅,TiO₂为原料，按照所述铌酸钠基陶瓷材料化学式的化学计量比进行配料，得到原料混合物，进行一次球磨、再烘干后得到粉体；

(2)将步骤(1)所得粉体依次进行一次预烧和二次预烧，得到预烧粉；

(3)将预烧粉和MnO₂混合后进行二次球磨处理，干燥后，得陶瓷粉体；

(4)将陶瓷粉体压成圆片后，再冷等静压处理，得陶瓷胚体；

(5)将陶瓷胚体的上表面和下表面分别被覆同样成分的经过步骤(1)和(2)处理的预烧粉，烧结处理，制得所述陶瓷材料。

6.根据权利要求5所述铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，

所述一次球磨是向原料混合物中加入乙醇，再加入球磨介质，充分混合球磨6-12h；所述二次球磨是向质量比1:(0.001～0.01)的预烧粉和MnO₂的混合物中加入乙醇，再加入球磨介质，充分混合球磨12～36h；

所述一次预烧的升温速率为3～10℃/min，升温至850～1000℃，恒温煅烧2～8h；所述二次预烧的升温速率为3～10℃/min，升温至850～1000℃，恒温煅烧2～8h。

7.根据权利要求5所述铌酸钠基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，

所述冷等静压处理的压力为200～300MPa，时间为1～10min；

所述烧结处理的升温速率为5～15℃/min，升温至1180～1250℃后，恒温1～4h。

8.一种陶瓷材料在制备电容器中的应用，其特征在于，所述陶瓷材料为权利要求1～4中任一项所述铌酸钠基陶瓷材料或者是权利要求5～7中任一项制备方法制备得到的铌酸钠基陶瓷材料。

9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述电容器为多层陶瓷电容器。

10.一种电容器，其特征在于，所述电容器的介电材料为权利要求1～4中任一项所述铌酸钠基陶瓷材料或者是权利要求5～7中任一项制备方法制备得到的铌酸钠基陶瓷材料。