[发明专利]一种Micro LED芯片及其制作方法

说明书

本发明涉及一种MicroLED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域，包括DBR反射层，位于DBR反射层之上的外延结构，位于外延结构之上的电流阻挡层，位于外延结构和电流阻挡层之上的透明导电层，位于透明导电层之上的扩展电极，位于DBR反射层、外延结构、电流阻挡层、透明导电层和扩展电极之上的绝缘保护层，位于外延结构、扩展电极和绝缘保护层之上的焊接电极，从而提供了一种新型的芯片结构，采用正装芯片结构，且正负焊接电极等高，对MicroLED芯片结构进行了扩展。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种Micro LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件，其发光原理为电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，因此发光二极管被称为冷光源，其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点，作为光源被广泛应用。并且，随着LED技术的成熟，直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。

Micro LED是指尺寸50μm的LED芯片，被认为最有可能取代OLED，成为下一代主流显示技术，由于其尺寸小，其间距可以做到P0.5以下，广泛应用于具有要求高亮度、超高解析度和高色彩饱和度的设备与场所。由于芯片比较小，焊接面积有限，因此，要求芯片正负焊接电极尽可能等高，但当前的Micro LED芯片大多采用把生长衬底剥离的倒装芯片结构(出光方向背离于电极方向)，且无法达到正负焊接电极尽可能等高的要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种Micro LED芯片及其制作方法，采用出光方向同向于电极方向的正装芯片结构，并使芯片正负焊接电极等高。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种Micro LED芯片，所述芯片包括DBR反射层、外延结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、透明导电层、第一扩展电极、第二扩展电极、绝缘保护层、第一焊接电极和第二焊接电极；

所述外延结构设置于所述DBR反射层上；

所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层设置于所述外延结构上，并处于所述外延结构的两端；

所述透明导电层设置于所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层和位于所述第一电流阻挡层和所述第二电流阻挡层之间的所述外延结构上；

所述第一扩展电极和所述第二扩展电极间隔设置于所述透明导电层上；

所述绝缘保护层包覆由所述外延结构、所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层、所述透明导电层、所述第一扩展电极和所述第二扩展电极组成的结构的外表面，并与所述DBR反射层的未与所述外延结构相接触的上表面相接触；

所述绝缘保护层上预留有第一开口和第二开口；所述第一焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第一开口与所述第一扩展电极电连接；所述第二焊接电极设置于所述绝缘保护层上，并通过所述第二开口与所述外延结构电连接；

在所述DBR反射层的投影方向上，所述第一电流阻挡层、所述第一扩展电极和所述第一焊接电极相对应，所述第二电流阻挡层、所述第二扩展电极和所述第二焊接电极相对应。

一种Micro LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：

提供一外延片；所述外延片包括从下到上依次层叠设置的生长衬底和外延结构；

在所述外延结构上制作第一电流阻挡层和第二电流阻挡层；

在所述第一电流阻挡层、所述第二电流阻挡层和所述外延结构上制作透明导电层；

在所述透明导电层上制作第一扩展电极和第二扩展电极；