[发明专利]一种电平位移电路及集成电路

权利要求书

1.一种电平位移电路，其特征在于，所述电平位移电路包括：

脉冲滤波模块，用于根据输入电平信号生成四路脉冲滤波信号；

开关模块，与所述脉冲滤波模块连接，用于根据四路所述脉冲滤波信号进行导通或者关断；

基准镜像模块，与所述开关模块和第一电源连接，用于根据所述第一电源提供的第一电源信号以及所述开关模块的导通和关断生成基准电流信号；

共模滤波模块，与所述基准镜像模块连接，并与所述基准镜像模块组成电流镜，用于根据所述第一电源信号以及所述基准电流信号生成两路共模滤波信号；

触发模块，与所述共模滤波模块连接，用于在所述共模滤波信号中出现共模噪声时进入锁存状态，并根据两路所述共模滤波信号对所述输入电平信号进行信号还原处理生成电平位移信号；

所述开关模块包括：第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管、第一高压开关管、第二高压开关管；

所述第一N型MOS管的栅极、所述第二N型MOS管的栅极、所述第三N型MOS管的栅极、所述第四N型MOS管的栅极分别与所述脉冲滤波模块的四个脉冲滤波信号输出端一一对应连接，所述第一N型MOS管的源极与所述第三N型MOS管的漏极连接，所述第二N型MOS管的源极与所述第四N型MOS管的漏极连接，所述第一N型MOS管的漏极连接所述第一高压开关管的源极，所述第二N型MOS管的漏极连接所述第二高压开关管的源极，所述第一高压开关管的栅极与所述第二高压开关管的栅极共接于电源端。

2.如权利要求1所述的电平位移电路，其特征在于，所述电平位移电路还包括：

噪声消除模块，与所述共模滤波模块连接，用于消除所述共模滤波信号中的共模噪声。

3.如权利要求1所述的电平位移电路，其特征在于，所述基准镜像模块包括：第一P型MOS管、第二P型MOS管；

所述第一P型MOS管的源极与所述第二P型MOS管的源极共接于所述第一电源，所述第一P型MOS管的栅极、所述第一P型MOS管的漏极以及所述开关模块的第一输入端共接于所述共模滤波模块，所述第二P型MOS管的栅极、所述第二P型MOS管的漏极以及所述开关模块的第二输入端共接于所述共模滤波模块。

4.如权利要求2所述的电平位移电路，其特征在于，所述共模滤波模块包括：第三P型MOS管、第四P型MOS管、第五P型MOS管、第六P型MOS管、第七P型MOS管、第八P型MOS管、第九P型MOS管、第五N型MOS管、第六N型MOS管、第七N型MOS管、第八N型MOS管、第九N型MOS管、第十N型MOS管以及第一电阻；

所述第三P型MOS管的源极、所述第四P型MOS管的源极、所述第五P型MOS管的源极、所述第六P型MOS管的源极、所述第七P型MOS管的源极、所述第八P型MOS管的源极、所述第九P型MOS管的源极共接于第一电源，所述第三P型MOS管的栅极与所述基准镜像模块连接，所述第三P型MOS管的漏极、所述第五N型MOS管的漏极、所述第五N型MOS管的栅极、所述第六N型MOS管的栅极共接，所述第五N型MOS管的源极与所述第六N型MOS管的源极共接于第一电源地；

所述第四P型MOS管的栅极连接所述基准镜像模块，所述第四P型MOS管的漏极、所述第五P型MOS管的漏极、所述第七N型MOS管的漏极共接作为所述共模滤波模块的第一共模滤波信号输出端，所述第五P型MOS管的栅极、所述第六P型MOS管的栅极、所述第九P型MOS管的栅极、所述第九P型MOS管的漏极共接所述第一电阻的第一端；

所述第六P型MOS管的漏极、所述第七P型MOS管的漏极以及所述第六N型MOS管的漏极共接作为所述共模滤波模块的第二共模滤波信号输出端；

所述第八P型MOS管的栅极连接所述基准镜像模块，所述第八P型MOS管的漏极、所述第八N型MOS管的漏极、所述第八N型MOS管的栅极以及所述第七N型MOS管的栅极共接，所述第七N型MOS管的源极、所述第八N型MOS管的源极以及所述第一电阻的第二端连接所述第一电源地。