[发明专利]硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法

权利要求书

1.一种硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤S10：作为硅衬底的N型单晶硅片经清洗、制绒；

步骤S20：以硅片的其中一侧面为正面，对正面全表面进行第一次硼扩散，形成浅结轻掺杂P⁺层；

步骤S30：在浅结轻掺杂P⁺层上对应于电池栅线位置，以含氟基刻蚀气体进行刻蚀开槽，得到刻蚀图形；

步骤S40：对刻蚀图形区域进行第二次硼扩散，形成重掺杂P⁺⁺层；

步骤S50：以硅片的另一侧面为背面，对背面进行碱抛光，再依次沉积遂穿氧化层、掺杂薄多晶硅层；

步骤S60：去除绕镀多晶硅及正面BSG、背面PSG；

步骤S70：正面依次沉积钝化层氧化铝、减反层氮化硅，背面沉积减反层氮化硅；

步骤S80：正面、背面进行丝网印刷栅线与烧结，制得N型TOPCon电池。

2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S20中，形成的浅结轻掺杂P⁺层的方阻为120～160Ω/sq。

3.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S20中，第一次硼扩散以管式扩散炉扩散BCl₃/BBr₃，扩散温度为700～1100℃。

4.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S30中，含氟基刻蚀气体为CF₄、CHF₃、C₄F₆的其中一种，采用掩膜板对应于电池栅线位置进行刻蚀开槽，刻蚀深度为2.5～3.5nm。

5.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S40中，形成的重掺杂P⁺⁺层的方阻为60～90Ω/sq。

6.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池的制造方法，其特征在于：步骤S40中，第二次硼扩散以丝网印刷硼浆或管式扩散炉扩散BCl₃/BBr₃。

7.一种由权利要求1～6任一所述的制造方法制得的硼掺杂选择性发射极N型TOPCon电池。