[发明专利]高深宽比结构中电镀液的填充方法在审
| 申请号： | 202210641524.3 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN114908389A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘博;黄景山;孔宪明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C25D5/54 | 分类号： | C25D5/54;C25D7/12;C25D3/38 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高深 结构 电镀 填充 方法 | ||
1.高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一晶圆，所述晶圆的正面具有高深宽比结构；
对所述晶圆的正面进行置换气体处理，直至所述置换气体充满所述高深宽比结构，所述置换气体可溶于水，且在标准状况下所述置换气体的溶解度不小于0.5，即1单位体积的水中溶解的置换气体的体积不小于0.5单位体积；
对所述置换气体处理后的所述晶圆的正面进行去离子水处理，直至所述去离子水至少填充所述高深宽比结构的底部区域，所述底部区域为距离所述高深宽比结构的底面四分之一深度的区域；
将所述去离子水处理后的所述晶圆的正面浸没于电镀液中，直至所述高深宽比结构中填满电镀液。
2.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述电镀液包括铜电镀液。
3.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述对所述晶圆的正面进行置换气体处理之前，还包括：对所述晶圆进行铜电镀工艺前处理，并在所述晶圆的正面依次形成扩散阻挡层和电镀种子层。
4.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述置换气体包括CO2和HCl中的至少一种。
5.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，在所述置换气体的密度比空气大时，所述晶圆的正面朝上；在所述置换气体的密度比空气小时，所述晶圆的正面朝下。
6.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述置换气体处理在电镀机台搭载的气体处理单元中进行，所述气体处理单元为气体吹洗单元和气体反应单元中的一种。
7.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述置换气体处理包括：用置换气体对所述晶圆的正面进行吹洗。
8.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，所述去离子水处理的方法包括：用去离子水喷头对所述晶圆的正面进行喷淋，或者将所述高深宽比结构完全浸没于去离子水水槽中。
9.如权利要求8所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，在电镀室中进行所述去离子水处理。
10.如权利要求1所述的高深宽比结构中电镀液的填充方法，其特征在于，在执行所述对所述置换气体处理后的所述晶圆的正面进行去离子水处理，直至所述去离子水至少填充所述高深宽比结构的底部区域的步骤之后，在特定时间内执行所述将所述去离子水处理后的所述晶圆的正面浸没于电镀液中，直至所述高深宽比结构中填满电镀液，所述特定时间不超过20s。
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