[发明专利]离子束刻蚀方法及芯片

说明书

本发明涉及芯片制造技术领域，具体公开一种离子束刻蚀方法和芯片。其中，所述离子束刻蚀方法包括以下步骤：提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料；在所述材料的上表面覆盖光刻胶，所述光刻胶包括第一光刻胶和第二光刻胶，将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种；通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理。通过该方法解决了现有光刻技术后续除胶困难的问题。

技术领域

本申请涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种离子束刻蚀方法及芯片。

背景技术

芯片制造技术的发展推动着电子产品的不断升级，而图形化处理技术是芯片制造技术的关键步骤之一。目前，图形化处理技术主要采用的方法是光刻和刻蚀技术，而现有的离子束刻蚀往往会导致后续除胶困难，从而造成芯片接触不良，影响芯片的使用性能，降低芯片的成品率。因此，需要一种方法来解决现有离子束刻蚀技术后续除胶困难的问题。

申请内容

本申请的主要目的在于提供一种离子束刻蚀方法，旨在解决现有离子束刻蚀技术后续除胶困难的问题。

第一方面，本申请提供一种离子束刻蚀方法，所述离子束刻蚀方法包括以下步骤：

一种离子束刻蚀方法，其特征在于，所述离子束刻蚀方法包括：

提供基板，在所述基板的上表面覆盖待被刻蚀的材料；

在所述材料的上表面覆盖光刻胶，其中，所述，在所述材料的上表面覆盖光刻胶，包括，将所述第一光刻胶覆盖于所述材料的上表面，并对所述第一光刻胶进行固化处理后将所述第二光刻胶覆盖于所述第一光刻胶的上表面，所述第一光刻胶包括LOR光刻胶和PMGI光刻胶中的任一种；

通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理。

在一种可能的实施方式中，所述通过光刻蚀对所述材料进行图形化处理，包括：

利用制备好的掩膜版对所述光刻胶的上表面进行曝光处理；

对所述光刻胶进行显影处理，在所述光刻胶的上表面形成需要的图形；

剥离第二光刻胶，得到所需的基片，所述基片包括基板、所述材料和所述第一光刻胶；

基于所述图形对所述材料进行图形化处理；

剥离所述第一光刻胶。

在一种可能的实施方式中，所述剥离第二光刻胶，包括：采用等离子体剥离法剥离所述第二光刻胶。

在一种可能的实施方式中，所述剥离所述第一光刻胶，包括：采用剥离液剥离所述第一光刻胶，所述剥离液包括丙酮、N-甲基吡咯烷酮、RemoverPG去胶剂和二甲基亚砜中的任一种。

在一种可能的实施方式中，所述对所述第一光刻胶进行固化处理，包括，在非氧化气氛下对所述第一光刻胶进行固化处理。

在一种可能的实施方式中，所述材料的厚度为0.02～1μm。

在一种可能的实施方式中，所述第一光刻胶的厚度为所述材料厚度的50～80倍。

在一种可能的实施方式中，所述第二光刻胶的厚度为0.5～1.5μm。

在一种可能的实施方式中，所述第二光刻胶包括任意一种正胶或任意一种负胶。

第二方面，本申请提供一种芯片，所述芯片的制备工艺包括上述任一项所述的离子束刻蚀方法。