[发明专利]一种可用于全面屏摄像头区域的像素阵列有效
| 申请号: | 202210627170.7 | 申请日: | 2022-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN114709250B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
| 发明(设计)人: | 孙丹丹 | 申请(专利权)人: | 南京观海微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 成都东唐智宏专利代理事务所(普通合伙) 51261 | 代理人: | 罗言刚 |
| 地址: | 211800 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 全面 摄像头 区域 像素 阵列 | ||
一种可用于全面屏摄像头区域的像素阵列,包括多个复合像素,所述复合像素包括两组三角形子像素,每组三角形子像素分别包括三个形状面积相同的三原色子像素,两组三角形子像素成中心对称并交错排列,相邻子像素之间具有第一间隙,相邻复合像素之间具有第二间隙。本发明通过对复合像素进行重新设计和排布,使得各个相邻复合像素之间可以通过相互借用部分子像素,实现以较低像素数量实现较高分辨率,并保证了前置摄像头区域的透光率。
技术领域
本发明属于显示技术领域,涉及全面屏显示技术,具体涉及一种可用于全面屏摄像头区域的像素阵列。
背景技术
全面屏是应用在手机显示器上的显示屏技术,即手机的正面全部都是屏幕,手机的四个边框位置都是采用无边框设计,追求100%的屏占比。全面屏手机面临着种种设计上以及制造工艺上的难点,比如前置摄像头区域需要实现摄像和显示双重功能。
由于前置摄像头区域需要为进光保留空隙,因此全面屏在前置摄像头屏下区域处像素数量少于全面屏其他区域,由于像素密度减少,使得前置摄像头处显示精度不足,轮廓感明显,精致度不够,在拖动屏幕图片时会产生较明显的锯齿状。
现有技术中,全面屏前置摄像头处的像素分布示意图如图3所示,图3中方块表示像素,虚线框内为前置摄像头区域,区域内像素数量少且间隙大,包括矩阵阵列形式排布的多个复合像素,每个复合像素包括多个单色的子像素,图4所示的现有技术中复合像素的具体实施方式中,复合像素包括两对中心对称的红蓝子像素,两对中心对称的红蓝子像素中设置有四个绿色子像素。复合像素和复合像素之间、子像素和子像素之间设置有间隙,以保证前置摄像头的透光率。现有技术中,可以实现不同子像素的不同形状和尺寸。
发明内容
为克服现有技术存在的技术缺陷,本发明公开了一种可用于全面屏摄像头区域的像素阵列。
本发明所述可用于全面屏摄像头区域的像素阵列,包括多个复合像素,所述复合像素包括两组三角形子像素,每组三角形子像素分别包括三个形状面积相同的三原色子像素,两组三角形子像素成中心对称并交错排列,相邻子像素之间具有第一间隙,相邻复合像素之间具有第二间隙;
定义C1、C2、C3分别代表三原色子像素,所述复合像素分两种,以复合像素顶部为起点,围绕复合像素几何中心顺时针排列的顺序分别为C1、C2、C3、C1、C2、C3和C1、C3、C2、C1、C3、C2;
所述像素阵列的排列方式为:相同的复合像素排成一列,不同复合像素列交错排布。
优选的:所述第一间隙宽度等于第二间隙宽度。
优选的:所述三角形子像素为正三角形。
优选的:所述复合像素中两组三角形子像素面积不同。
本发明通过对复合像素进行重新设计和排布,使得各个相邻复合像素之间可以通过相互借用部分子像素,实现以较低像素数量实现较高分辨率,并保证了前置摄像头区域的透光率。
附图说明
图1是本发明所述全面屏前置摄像头区域像素阵列的一种具体实施方式示意图;
图2是本发明所述不同复合像素排列的一种具体实施方式示意图;
图3是现有技术中全面屏前置摄像头区域像素阵列的一种具体实施方式示意图;
图4是现有技术中全面屏前置摄像头区域像素阵列中复合像素的一种具体实施方式示意图;
图中R表示红色子像素、G表示绿色子像素,B表示蓝色子像素,L1-第一间隙宽度,L2-第二间隙宽度,A1、A2代表不同的复合像素。
具体实施方式
以下结合附图及附图标记对本发明的实施方式做更详细的说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





