[发明专利]一种可产生正负电压的电荷泵电路在审

专利信息
申请号: 202210626976.4 申请日: 2022-06-06
公开(公告)号: CN114844350A 公开(公告)日: 2022-08-02
发明(设计)人: 李弦;陈振骐;陈勇刚 申请(专利权)人: 深圳市纽瑞芯科技有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 廖元秋
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区坂*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 正负 电压 电荷 电路
【权利要求书】:

1.一种可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,包括:

一个电荷泵或由多个相同的电荷泵级联构成的级联电荷泵,用于产生所需的正负高电压;

一组开关管与所述电荷泵相连,用于选择性输出正高电压或负高电压。

2.如权利要求1所述的可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,所述一个电荷泵采用两个PMOS管、两个NMOS管和两个电容组成的交叉耦合结构的电荷泵。

3.如权利要求1所述的可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,所述级联电荷泵中每个电荷泵均采用两个PMOS管、两个NMOS管和两个电容组成的交叉耦合结构的电荷泵。

4.如权利要求2所述的可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,所述电荷泵中第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的源漏极相连,第一NMOS管的源漏极与第二NMOS管的栅极相连,第一NMOS管的另一源漏极与第二NMOS管的另一源漏极相连构成电荷泵的一端;第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的源漏极相连,第一PMOS管的源漏极与第二NMOS管的栅极相连,第一PMOS管的另一源漏极与第二PMOS管的另一源漏极相连构成电荷泵的另一端;第一NMOS管的源漏极与第一PMOS管的源漏极相连后与第一电容一端相连,第二NMOS管的源漏极与第二PMOS管的源漏极相连后与第二电容一端相连;第一电容另一端与第一时钟相连;第二电容另一端与第二时钟相连。

5.如权利要求3所述的可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,所述级联电荷泵中每一级电荷泵的两端分别连接前一级电荷泵的一端和后一级电荷泵的一端,其中第一级电荷泵的未连接后一级电荷泵的一端为所述级联电荷泵的一端,最后一级电荷泵未连接前一级电荷泵的一端为所述级联电荷泵的另一端。

6.如权利要求4或5所述的可产生正负电压的电荷泵电路,其特征在于,所述一组开关管由两个PMOS管、两个NMOS管组成;该四个开关管的栅极均相连在一起,用于控制所在位置电压的高低;其中,第一PMOS管的源漏极和第二NMOS管的源漏极相连后与电荷泵或级联电荷泵的一端相连;第一PMOS管的另一源漏极与电源相连;第一NMOS管的源漏极和第二PMOS管的源漏极相连后与电荷泵或级联电荷泵的另一端相连;第一NMOS管的另一源漏极与接地;第二NMOS管另一源漏极与第二PMOS管的另一源漏极相连后作为电压输出端。

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