[发明专利]一种应用于DC-DC转换器的软启动电路

权利要求书

1.一种应用于DC-DC转换器的软启动电路，其特征在于，包括偏置电流产生电路(10)、窄脉冲时钟产生器(20)、斜坡电压产生器(30)、第一比较器(40)和二选一电路(50)，其中，

所述偏置电流产生电路(10)分别连接所述窄脉冲时钟产生器(20)的输入端和所述斜坡电压产生器(30)的输入端，所述偏置电流产生电路(10)用于产生固定偏置电流；

所述窄脉冲时钟产生器(20)连接所述斜坡电压产生器(30)的时钟信号输入端，用于产生窄脉冲时钟信号clk；

所述斜坡电压产生器(30)连接所述第一比较器(40)的同相输入端，用于根据所述窄脉冲时钟信号clk产生斜坡电压V_SS；

所述第一比较器(40)的反相输入端输入外部基准电压V_REF，输出端与所述二选一电路(50)连接，用于对所述斜坡电压V_SS和所述外部基准电压V_REF进行比较，并根据比较结果输出使能信号EN；

所述二选一电路(50)，用于根据所述使能信号EN选择并输出斜坡上升基准电压V_{REF_SS}。

2.根据权利要求1所述的应用于DC-DC转换器的软启动电路，其特征在于，所述偏置电流产生电路(10)包括，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)；

其中，所述第一NMOS管(MN1)的栅极输入所述外部基准电压V_REF，所述第一NMOS管(MN1)源极分别连接所述第二NMOS管(MN2)的源极和所述第一电阻(R1)的第一端，所述第一电阻(R1)第二端连接接地端(GND)，所述第一NMOS管(MN1)的漏极分别连接所述第一PMOS管(MP1)的漏极和栅极；

所述第二NMOS管(MN2)的栅极分别连接所述第三NMOS管(MN3)的源极和所述第二电阻(R2)的第一端，所述第二电阻(R2)第二端连接所述接地端(GND)，所述第二NMOS管(MN2)的漏极分别连接所述第三NMOS管(MN3)的栅极和所述第二PMOS管(MP2)的漏极；

所述第三NMOS管(MN3)的漏极连接所述第三PMOS管(MP3)的漏极；

所述第一PMOS管(MP1)的栅极分别连接所述第二PMOS管(MP2)的栅极和所述第三PMOS管(MP3)的栅极；

所述第一PMOS管(MP1)、所述第二PMOS管(MP2)和所述第三PMOS管(MP3)的源极均连接电源电压端(VDD)。

3.根据权利要求2所述的应用于DC-DC转换器的软启动电路，其特征在于，所述窄脉冲时钟产生器(20)包括，第四PMOS管(MP4)、第四NMOS管(MN4)、或门(OR1)、第一电容(C1)和第二比较器(20-1)；

其中，所述第四PMOS管(MP4)的栅极连接所述第三PMOS管(MP3)的栅极，所述第四PMOS管(MP4)的源极连接所述电源电压端(VDD)，所述第四PMOS管(MP4)的漏极分别连接所述第二比较器(20-1)的同相输入端、所述第一电容(C1)的上极板和所述第四NMOS管(MN4)的漏极，所述第一电容(C1)的下极板连接所述接地端(GND)；

所述第四NMOS管(MN4)的栅极连接所述或门(OR1)的输出端，所述第四NMOS管(MN4)的源极连接所述接地端(GND)；

所述第二比较器(20-1)的反相输入端输入所述外部基准电压V_REF，所述第二比较器(20-1)的输出端分别连接所述或门(OR1)的第一输入端和所述斜坡电压发生器(30)的时钟信号输入端；

所述或门(OR1)的第二输入端连接所述第一比较器(40)的输出端。