[发明专利]一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法

说明书

本发明公开了一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，包括如下步骤：将铌酸锂单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；将标记的晶片放入碱性清洗液中超声清洗；将清洗后的晶片抛光面进行贴膜；将两片贴膜后晶片的贴膜面粘合，获得粘合工件；将粘合工件进行双面研磨；将研磨后的粘合工件清洗并脱膜。本发明通过工艺改进，提高产品良品率，返工后的单面抛光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。

技术领域

本发明涉及铌酸锂晶体材料，特别是一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，提高了铌酸锂单面抛光片背面不良的返工质量和加工效率，有利于节约生产成本，适合产业化推广。

背景技术

铌酸锂（LiNbO₃，以下简称LN）是一种化学物质，属三方晶系，钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构，相对密度4.30g/cm³，莫氏硬度5，居里点1140℃，是集压电、铁电、热释电、非线性、光电、光弹、光折变等功能于一体的多功能材料。LN因其卓越的物理特性，得到了越来越多的关注，在航空、航天、民用光电产品等领域得到广泛应用。其中，作为压电晶体材料,经过退火、极化、定向、切割、滚圆、做基准面、多线切割、研磨、减薄、抛光等工序制作的铌酸锂晶片具有优良的压电性能，可作为衬底片制作声表面波（SAW）和体波（BAW）器件。然而，与硅晶体和蓝宝石晶体相比，铌酸锂的断裂韧性和硬度更低，例如其断裂韧性是硅的三分之一、蓝宝石的十分之一，因此铌酸锂晶体在加工过程中比硅晶体和蓝宝石晶体更易受损。

铌酸锂在单面抛光过程中产生的背面不良如背面划伤、花斑、脏污、厚度薄等背面不良，可以通过返工处理重新获得合格的单面抛光片，从而减少材料浪费，降低成本。传统的铌酸锂背面不良解决方法通常以双面研磨将抛光面返工成研磨面，再将研磨面重新减薄抛光，返工流程长，返工去除量多，导致晶片厚度不达标，碎片率高、平坦度差等不良。因此，十分有必要提出一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，不仅可以实现去除量少、碎片率低、平坦度高的返工要求，还可避免了其他不良的产生，提升返工效率，降低晶片废品率，大幅度降低企业的返工成本。

公开号为CN107088793A发明专利公开了一种声表面波器件单面抛光衬底片制备方法，主要采用水溶性粘接剂将两片晶片的非加工面黏贴起来。在黏合过程中要求单个黏贴工件平坦度高，加工批次工件厚度一致，且在粘合工件过程中不能造成非加工面的不良。但在实际操作中，水溶性黏贴剂配制复杂，粘合厚度不一，加工平坦度差，分片时间长且易造成晶片脏污、划伤、碎片等不良。

公开号为CN109352502A发明专利公开了一种蓝宝石单面抛光厚度不良返工流程与方法，主要采用真空吸附、贴蜡吸附、浸水吸附的方法将晶片吸附到载盘上进行单面抛光加工，但在实际操作中，无法保证晶片载盘绝对洁净，导致在抛光过程中晶片产生凹坑、碎裂等不良。

公开号为CN106992112A发明专利公开了超薄晶片的抛光方法，主要采用10nm~1500μm的胶体黏贴在晶片非加工面进行抛光。但在实际操作中，铌酸锂晶片非加工面贴上厚的胶体进行抛光，很容易造成晶片平坦度差。

因此现有技术中缺乏一种获得高质量的铌酸锂单抛片背面不良的返工方法。

发明内容

针对以上技术问题，本发明所要提供的是一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，单面抛光片指单面抛光后的晶片，该返工方法加工过程稳定，返工去除量少，所获得的晶片表面平坦度好，加工良率高。

本发明解决铌酸锂单面抛光片的背面划伤、花斑、脏污、厚度薄等背面不良问题所采用的技术方案是：一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，加工流程图见图1，具体包括下列步骤：

a)单面抛光片检验：将单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；