[发明专利]一种用于硅片边缘刻蚀的装置和方法有效
申请号: | 202210620140.3 | 申请日: | 2022-06-02 |
公开(公告)号: | CN114695210B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 郝宁;王力 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 沈寒酉;李斌栋 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 硅片 边缘 刻蚀 装置 方法 | ||
1.一种用于硅片边缘刻蚀的装置,所述硅片边缘具有切口,其特征在于,所述用于硅片边缘刻蚀的装置包括:
第一驱动器,所述第一驱动器用于使硅片绕中心轴线转动;
感测器,所述感测器用于感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述外周缘上的位置;
喷头,所述喷头用于喷射刻蚀液;
第二驱动器,所述第二驱动器用于根据所述感测器感测到的位置使所述喷头在所述边缘上进行第一移动,以使所述刻蚀液以所述喷头与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处。
2.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述喷头将刻蚀液喷射至所述硅片的主表面的边缘,所述第二驱动器还用于使所述喷头进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化。
3.根据权利要求2所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述第二移动为垂直于所述外周缘的往复运动,以使得所述喷头的长度能够小于所需要的刻蚀宽度。
4.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述硅片竖直地设置,所述喷头将所述刻蚀液喷射至所述硅片的底部。
5.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述第一驱动器包括吸盘,所述吸盘通过胶粘或真空吸附的方式与所述硅片连结使所述硅片绕中心轴线转动。
6.根据权利要求1所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述装置还包括吹扫模块,所述吹扫模块包括多个用于向下吹扫喷射至所述硅片的所述刻蚀液的喷口。
7.根据权利要求6所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述喷口经设置成以垂直于所述硅片表面的方式向所述硅片喷射氮气或惰性气体。
8.根据权利要求6所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述吹扫模块跟随所述喷头一起移动。
9.一种用于硅片边缘刻蚀的方法,所述方法应用于根据权利要求1-8任一所述的用于硅片边缘刻蚀的装置,其特征在于,所述方法包括:
竖直地设置硅片,使所述硅片绕中心轴线转动;
感测所述硅片的外周缘中的每一点在所述硅片的外周缘上的位置;
喷射刻蚀液;
根据感测到的位置使所述刻蚀液的射束在所述硅片的所述边缘上进行第一移动,以使所述刻蚀液以所述射束与所述外周缘之间的径向间距保持恒定的方式喷射至所述硅片的边缘处;
向下吹扫喷射至所述硅片的所述刻蚀液。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述刻蚀液被喷射至所述硅片的主表面的边缘,所述方法还包括使所述射束在所述硅片上进行第二移动以使被刻蚀的边缘的宽度发生变化,所述第二移动为垂直于所述外周缘往复运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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