[发明专利]一种晶圆偏心的检测方法

权利要求书

1.一种晶圆偏心的检测方法，应用于边缘刻蚀腔室，其特征在于，所述检测方法包括：

刻蚀步骤：将所述晶圆置于所述边缘刻蚀腔室中进行边缘刻蚀工艺，确定已刻蚀晶圆上不同直径的多个采样点的刻蚀速率；

选取第一目标采样点和第二目标采样点步骤：在所述已刻蚀晶圆上选取预设半径值的采样圆为基准采样圆，在所述基准采样圆上选取刻蚀速率最大和刻蚀速率最小的两个采样点，其中一个采样点为第一目标采样点，另一个采样点为第二目标采样点；

确定第三目标采样点步骤：根据所述第一目标采样点的刻蚀速率，以及与所述第二目标采样点位于同一半径上且位于不同半径值的采样圆上的采样点的刻蚀速率，选取出满足第一预设要求的刻蚀速率，将满足所述第一预设要求的刻蚀速率所对应的采样点作为第三目标采样点，确定所述第三目标采样点所在采样圆的半径值；

确定第四目标采样点步骤：根据所述第三目标采样点的刻蚀速率，以及与所述第二目标采样点和所述第三目标采样点位于同一半径上且位于不同半径值的采样圆上的采样点的刻蚀速率，选取出满足第二预设要求的刻蚀速率，并将位于所述第三目标采样点周围且满足所述第二预设要求的刻蚀速率所对应的采样点作为第四目标采样点，确定所述第四目标采样点所在采样圆的半径值；

确定第五目标采样点步骤：在所述第三目标采样点与所述第四目标采样点之间选取与所述第一目标采样点的刻蚀速率相同的采样点作为第五目标采样点；

确定第五目标采样点所在采样圆的半径值步骤：根据所述第三目标采样点所在采样圆的半径值、所述第四目标采样点所在采样圆的半径值、所述第三目标采样点的刻蚀速率、所述第四目标采样点的刻蚀速率以及第一预设函数，确定所述第五目标采样点所在采样圆的半径值；

确定偏差半径值步骤：以所述第一目标采样点为参考采样点，根据第二预设函数确定所述晶圆的几何中心与所述边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心的偏差半径值。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述选取出满足第一预设要求的刻蚀速率，包括：

所述第二目标采样点所在的半径上，从不同半径值的采样圆上对应的各采样点的刻蚀速率中，选取出与所述第一目标采样点的刻蚀速率之差的绝对值最小的刻蚀速率。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述选取出满足第二预设要求的刻蚀速率，包括：

从不同半径值的各个采样圆中选取出与所述第三目标采样点所在采样圆相邻的采样圆，并使所述第一目标采样点的刻蚀速率介于同时位于所述相邻的采样圆上以及位于所述第二目标采样点所在半径上的采样点的刻蚀速率，和所述第三目标采样点的刻蚀速率之间。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一预设函数为：(R_P5-R_P3)/(V_P5-V_P3)＝(R_P4-R_P3)/(V_P4-V_P3)；

其中，R_P3为第三目标采样点所在采样圆的半径值；

R_P4为第四目标采样点所在采样圆的半径值；

R_P5为第五目标采样点所在采样圆的半径值；

V_P3为第三目标采样点的刻蚀速率；

V_P4为第四目标采样点的刻蚀速率；

V_P5为第五目标采样点的刻蚀速率。

5.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第二预设函数为：G₀＝[|R_P1-R_P3|+(R_P5-R_P3)]/2；

其中，R_P1为第一目标采样点所在采样圆的半径值；

R_P3为第三目标采样点所在采样圆的半径值；

R_P5为第五目标采样点所在采样圆的半径值；

G₀为所述已刻蚀晶圆的几何中心与所述边缘刻蚀腔室中等离子体的处理中心的偏差半径值。