[发明专利]一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法在审
| 申请号： | 202210598903.9 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115130414A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 骆光照;罗斌;安泽舟;刘春强;鲁绪恺;王涛鸣;李寅 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学深圳研究院 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G01R27/26 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 518057 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cascode 器件 内部 寄生 电容 参数 提取 方法 | ||
1.一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1：测量Cascode器件外部的结电容参数；
步骤2：建立Cascode器件内部的小信号等效电路模型，为两个三角形模块串联构成；其一：器件内部GaN器件三角形连接的栅漏极电容CGD_GaN、栅源极电容CGS_GaN,和漏源极电容CDS_GaN；其二：器件内部低压硅MOSFET器件三角形连接的栅漏极电容CGD_Si、栅源极电容CGS_Si和漏源极电容CDS_Si；
两个三角形的连接点为栅漏极电容CGD_GaN、栅源极电容CGS_GaN的并联点G和栅漏极电容CGD_Si、漏源极电容CDS_Si并联点D；
步骤3、二端口网络分析法得到Cascode器件的结电容网络：
以结电容CGD_Si和结电容CDS_GaN串联组成传输电容网络；
以结电容CDS-Si、CDS_GaN和CGS_GaN组成的并联电路电路与结电容CGD_Si串联，然后该串联电路再与结电容CGS_Si并联组成输入电容网络；
以结电容CGS-GaN、CGD_Si和CDS_Si组成的并联电路与结电容CDS_GaN串联，然后该串联电路再与结电容CGD_GaN并联组成输出电容网络；
步骤4：建立电容网络的参数方程，求解参数方程获得器件内部结电容的参数：
步骤4-1：通过Cascode器件外部的传输电容Crss来求解内部结电容CDS_GaN：
已知Crss和CGD_Si的值，求解得CDS_GaN的容值；
步骤4-2：通过Cascode器件外部的输入电容Ciss来求解内部结电容CGS_GaN：
已知输入电容Ciss和内部结电容CGD_Si、CDS_Si、CGS_Si、CDS_GaN的值，可求解得到CGS_GaN的容值；
步骤4-3：通过Cascode器件外部的输出电容Coss来求解内部结电容CGD_GaN：
已知，输出电容Coss和内部结电容CGD_Si、CDS-Si、CDS_GaN、CGS_GaN的值，可求解得到CGD_GaN的容值。
2.根据权利要求1所述Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，其特征在于：所述步骤4-1中，通过对不同电压等级下CDS_GaN的电容值进行非线性拟合，获得电容CDS_GaN的非线性压变特性曲线。
3.根据权利要求1所述Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，其特征在于：所述步骤4-2中，通过对不同电压等级下CGS_GaN的电容值进行非线性拟合，即获得结电容CGS_GaN的非线性压变特性曲线。
4.根据权利要求1所述Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，其特征在于：所述步骤4-3中，通过对不同电压等级下CGD_GaN的电容值进行非线性拟合，即获得电容CGD_GaN的非线性压变特性曲线。
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