[发明专利]一种多功能存储芯片封装结构的加工方法在审
申请号: | 202210598869.5 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN114975141A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 喻志刚;林建涛 | 申请(专利权)人: | 东莞忆联信息系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/552 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 丁宇龙 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多功能 存储 芯片 封装 结构 加工 方法 | ||
本申请涉及一种多功能存储芯片封装结构的加工方法,该方法包括:设计制作封装基板,所述封装基板划分为多个功能区域,各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫;在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔;使用全自动高速点胶机在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶,待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙;进行整体封胶,并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄;在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。本发明可使用当前业界通用成熟的各种封装设备生产,实现了大批量生产提升效率。加工得到的多功能存储芯片具有分区屏蔽和共形屏蔽功能,且分区屏蔽层封装在产品内部,产品性能更稳定,可靠性更高。
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,特别是涉及一种多功能存储芯片封装结构的加工方法。
背景技术
随着存储芯片技术的发展,存储芯片作为计算机设备的核心部件之一,对存储芯片封装结构的加工工艺有着越来越高的要求。
然而,在现有存储产品中,为实现EMI(Electromagnetic Interference,电磁干扰)共形屏蔽和分区屏蔽功能,其加工工序复杂,制程质量风险高。具体地,现有技术的分区屏蔽通过对封胶后产品先钻孔,再将孔用金属导电胶填埋实现,其工序复杂。其次,共形屏蔽通过整片产品封胶后切单颗,然后取放至专用溅镀载具上,然后在单颗产品5个面溅镀金属形成,加工工序复杂侧面金属层厚度难以保证。此外,传统带EMI屏蔽功能的存储芯片没有散热方面的设计。
发明内容
基于此,有必要针对上述技术问题,提供一种多功能存储芯片封装结构的加工方法。
一种多功能存储芯片封装结构的加工方法,所述方法包括:
设计制作封装基板,所述封装基板划分为多个功能区域,各功能区域周围设有EMI屏蔽金属接地焊垫;
在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔;
在各功能区域周围的通孔注入金属导电导热胶,待填充完后在上表面堆叠金属导电胶形成分区屏蔽墙;
进行整体封胶,并将封胶后整片封胶面进行研磨减薄;
在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层。
在其中一个实施例中,所述在各功能区域周围钻金属胶注胶通孔,所述通孔与EMI屏蔽金属接地焊垫相邻的步骤之后还包括:
对所述封装基板进行锡膏印刷,并将SMD元件、功能模组、倒装芯片依次进行贴装、回流焊接以及清洗。
在其中一个实施例中,所述对封装基板进行锡膏印刷,并将SMD元件、功能模组、倒装芯片依次进行贴装、回流焊接以及清洗的步骤之后还包括:
使用点胶机对倒装芯片底部点非导电底部填充胶,并烘烤固化。
在其中一个实施例中,所述使用点胶机对倒装芯片底部点非导电底部填充胶,并烘烤固化的步骤之后还包括:
进行Flash/Dram存储芯片的晶圆粘贴以及焊线。
在其中一个实施例中,所述在各功能区域周围镭射钻金属胶注胶通孔的步骤包括:
在各功能区域周围通过使用镭射钻金属胶注胶通孔,所述通孔与所述EMI屏蔽金属接地焊垫相邻接。
在其中一个实施例中,所述在研磨减薄后的黑胶表面进行EMI屏蔽金属层溅镀形成共形屏蔽层的步骤之后还包括:
对整片背面植锡球后切成单颗多功能存储芯片颗粒。
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