[发明专利]衰减器电路、电子装置及相关方法在审
申请号: | 202210598481.5 | 申请日: | 2022-05-27 |
公开(公告)号: | CN115514342A | 公开(公告)日: | 2022-12-23 |
发明(设计)人: | 亨利阿诺德帕克;塔梅尔穆罕默德阿里 | 申请(专利权)人: | 联发科技(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H03H11/24 | 分类号: | H03H11/24 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 朱砚耘 |
地址: | 新加坡启汇城*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衰减器 电路 电子 装置 相关 方法 | ||
1.一种衰减器电路,其特征在于,该衰减器电路包括:
输入节点;
输出节点;以及,
多个电路单元,并联连接在该输出节点和参考电压节点之间,该多个电路单元中的各个电路单元包括与可调电阻串联的电容器。
2.如权利要求1所述的衰减器电路,其特征在于,通过将该多个电路单元的一些或所有电路单元中的该可调电阻设置为处于具有预定电阻值的导通状态以及将该多个电路单元的其余电路单元中的该可调电阻设置为处于高阻抗状态,该衰减器电路的衰减器增益是可编程的。
3.如权利要求2所述的衰减器电路,其特征在于,针对该一些或所有电路单元中的每个电路单元,该预定电阻值被选择为使得该衰减器增益在第一频率处的第一增益值和该衰减器增益在第二频率处的第二增益值之间的差异不超过1dB,该第二频率不同于该第一频率。
4.如权利要求3所述的衰减器电路,其特征在于,该第一频率低于1GHz,以及,该第二频率高于1GHz。
5.如权利要求4所述的衰减器电路,其特征在于,该第一频率低于0.1GHz,以及,该第二频率高于10GHz。
6.如权利要求2所述的衰减器电路,其特征在于,该高阻抗状态是开路。
7.如权利要求1所述的衰减器电路,其特征在于,针对每个电路单元:
该可调电阻是晶体管,该晶体管的栅极端被配置为应用栅极电压,以使得该晶体管具有可调电阻值。
8.如权利要求7所述的衰减器电路,其特征在于,每个电路单元还包括一个或多个开关,其被配置为将该晶体管的栅极端可切换地连接到第一电压或第二电压,以使得该晶体管处于高阻抗状态或者处于具有预定电阻值的导通状态。
9.如权利要求1所述的衰减器电路,其特征在于,该衰减器电路还包括:耦接该输入节点和该输出节点的电容器。
10.一种电子装置,其特征在于,该电子装置包括如权利要求1至9中任一项所述的衰减器电路。
11.如权利要求10所述的电子装置,其特征在于,该电子装置还包括耦接到该衰减器电路的放大器,其中,该衰减器电路的输入节点被配置为接收输入信号,以及,该衰减器电路的输出节点被配置为向该放大器提供衰减后的输入信号。
12.如权利要求11所述的电子装置,其特征在于,该衰减器电路和该放大器是集成电路的一部分。
13.一种用于操作衰减器电路的方法,其中,该衰减器电路包括输入节点、输出节点以及在该输出节点和参考电压节点之间并联连接的多个电路单元,该多个电路单元中的各个电路单元包括与具有可调电阻值的晶体管串联的电容器,该方法包括:
将该多个电路单元的一些或所有电路单元中的晶体管选择性地调整为导通状态,以调整该衰减器电路的衰减器增益。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,选择性地调整该一些或所有电路单元的晶体管包括:
将该晶体管设置为具有预定电阻值,以使得该衰减器增益在第一频率处的第一增益值与该衰减器增益在第二频率处的第二增益值之间的差值不超过1dB,其中,该第二频率不同于该第一频率。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,将该晶体管设置为具有预定电阻值包括:将预定电压施加到该晶体管的栅极端。
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