[发明专利]一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法在审
申请号: | 202210596451.0 | 申请日: | 2022-05-30 |
公开(公告)号: | CN115558900A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 叶顺闵;林伯璋;蔡孟霖;许邦泓;萧维彬 | 申请(专利权)人: | 滁州钰顺企业管理咨询合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | C23C14/54 | 分类号: | C23C14/54;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;H01L21/48 |
代理公司: | 北京七夏专利代理事务所(普通合伙) 11632 | 代理人: | 刘毓珍 |
地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 背面 金属化 防止 金属 镀层 异常 方法 | ||
本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法,包括如下步骤:S1、根据靶材类型确定靶材容器;S2、检查靶材放入靶材容器的位置是否正确;S3、判断靶材添加是否有误;S4、根据靶材类型调节蒸镀制程加热功率;S5、进行晶圆背面金属化蒸镀制程,本发明能够定义靶材异常因素,预防在晶圆背面金属化蒸镀制程时异常发生,防止因晶圆背面金属化蒸镀异常,导致生产良率降低,晶圆重新加工风险提升,厂内工作量增加,成本增加。
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,具体涉及一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法。
背景技术
晶背金属化制程,是为改善高功率IC散热问题而开发的封装技术。BSM运用电子束蒸镀或金属溅镀制程,在晶圆背面镀一层可做为接合用的金属与基材(散热片/Leadframe),以达到较佳的散热及导电效果。
目前晶圆背面金属化会使用以钨铜合金作为容器,蒸镀金属材料为钛、镍、银、锡为比较大多数,使用金与铝作为蒸镀材料为少数,以电子束加热方式将放置在钨铜合金容器内的靶材融解形成蒸气附着在晶圆背面,银与锡则需以钼作为容器再放置到钨铜合金容器内,银与锡熔点较低在工艺过程容易附着在钨铜合金容器上,导致后续清洁困难,晶圆背面金属化蒸镀制程时需要确认靶材是否需求添加或更换,在添加靶材时需注意添加是否为正确的靶材以避免蒸镀时产生金属合金导致镀层异常或蒸镀在晶圆背面的金属附着效果不佳。
发明内容
针对现有技术中存在的上述不足之处,本发明提供了一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法,用以解决现有晶圆背面金属化蒸镀制程时需要确认靶材是否需求添加或更换,在添加靶材时需注意添加是否为正确的靶材以避免蒸镀时产生金属合金导致镀层异常或蒸镀在晶圆背面的金属附着效果不佳的问题。
为了解决上述技术问题,本发明采用了如下技术方案:
一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、根据靶材类型确定靶材容器;
S2、检查靶材放入靶材容器的位置是否正确;
S3、判断靶材添加是否有误;
S4、根据靶材类型调节蒸镀制程加热功率;
S5、进行晶圆背面金属化蒸镀制程。
进一步,所述步骤S1,若靶材类型为钛与镍,则以钨铜合金坩埚为靶材容器;若靶材类型为银与锡,则以钼衬锅和钨铜合金坩埚为靶材容器,所述钼衬锅放于钨铜合金坩埚内,所述靶材放于钼衬锅里。
进一步,所述步骤S3,通过有无磁性或者形状大小进行判断区分。
进一步,所述步骤S4,若靶材类型为银,则蒸镀制程加热功率设定在10%~15%;若靶材类型为锡,则蒸镀制程加热功率设定在5%~10%;若靶材类型为钛,则蒸镀制程加热功率设定在20%~30%;若靶材类型为镍,则蒸镀制程加热功率设定在20%~30%。
所述步骤S5前,需确认熔锭时靶材上是否有漂浮物,若漂浮物为杂质,杂质占据靶材面积的10%,则需更换靶材。
本发明与现有技术相比,具有如下有益效果:
定义靶材异常因素,预防在晶圆背面金属化蒸镀制程时异常发生,防止因晶圆背面金属化蒸镀异常,导致生产良率降低,晶圆重新加工风险提升,厂内工作量增加,成本增加。
具体实施方式
实施例:
本发明的一种基于晶圆背面金属化蒸镀的防止金属镀层异常的方法,包括如下步骤:
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