[发明专利]一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置在审

专利信息
申请号: 202210595717.X 申请日: 2022-05-30
公开(公告)号: CN114755907A 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 卢晓同;常宏 申请(专利权)人: 中国科学院国家授时中心
主分类号: G04F5/14 分类号: G04F5/14
代理公司: 西安永生专利代理有限责任公司 61201 代理人: 何彩霞
地址: 710600 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 频率 调制 晶格 里面 实现 弗洛凯 设计 装置
【权利要求书】:

1.一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:在外腔半导体激光器(2)的选模光栅上粘贴有压电陶瓷(1),外腔半导体激光器(2)的光出射方向依次设置有λ/2玻片(3)、第一凸透镜(L1)、第一格兰—泰勒棱镜(GP1),第一格兰—泰勒棱镜(GP1)光出射方向上设置有真空腔体(4),光晶格俘获的冷原子样品(5)设置于真空腔体(4)内,真空腔体(4)光出射方向上依次设置有第二格兰—泰勒棱镜(GP2)、第二凸透镜(L2)、第一声光调制器(A1)、第二声光调制器(A2)、λ/4玻片(6)、第三凸透镜(L3)、反射镜(7),多通道任意函数或者多通道任意波形发生器(8)输出三组电子学信号E1、E2和E3,电子学信号E1输入压电陶瓷(1),电子学信号E3输入第一声光调制器(A1),电子学信号E2输入第二声光调制器(A2)。

2.根据权利要求1所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的第一声光调制器(A1)取+1级衍射光,第二声光调制器(A2)取-1级衍射光。

3.根据权利要求2所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的电子学信号E1为频率小于2 kHz的低频信号,器幅值取0~4福特任意值,且采用任意波形,电子学信号E2、电子学信号E3为正弦信号且频率和相位完全一致,分别作为第一声光调制器(A1)和第二声光调制器(A2)的输入信号。

4.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的电子学信号E2或电子学信号E3的频率调制波形为三角波。

5.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的电子学信号E1为多个正弦信号的叠加,实现对特定弗洛凯边带激发率的操控,当E1分别为0.065Sin(ωst)+0.345Sin(2ωst)+0.243Sin(3ωst)和E1= 0.005Sin(ωst)+0.005Sin(2ωst)+0.16Sin(3ωst)时,可使载波激发率保持一致,同时二阶边带的激发率分别为0和0.17,即单独操控二阶边带激发率。

6.根据权利要求2所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的电子学信号E1设置成幅值为零的直流信号,电子学信号E2、电子学信号E3为正弦信号,分别作为第一声光调制器(A1)和第二声光调制器(A2)的输入信号,电子学信号E2或电子学信号E3的信号类型为频率调制信号,且电子学信号E2、电子学信号E3的中心频率一致。

7.根据权利要求3所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的外腔半导体激光器(2)的中心波长为λL=813.427 nm,电子学信号E1为正弦信号,表示为E1=W1Sin(ωst),其中ωs=2π×100 Hz为调制频率,W1=1.5 V为信号幅值,电子学信号E2和电子学信号E3均为正弦信号,表示为E2=E3=Vr Sin(2πνrt),其中Vr=0.4 V为信号幅值,νr=80 MHz为信号频率。

8.根据权利要求6所述的一种利用频率调制在光晶格里面实现弗洛凯设计的装置,其特征在于:所述的外腔半导体激光器(2)的中心波长为λL=813.427 nm,电子学信号E1为幅值为零的直流信号或者无任何信号,电子学信号E2和电子学信号E3均为正弦信号,E2=VrSin(2πνrt),E3=VrSin(2π(νr+νm)t);其中Vr=0.4 V为信号幅值,νr=80 MHz为信号中心频率,νm为三角波形调制信号,可表示为:

其中νa为调制幅度,Ts=1/νs为调制周期,νs为调制频率。

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