[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法

说明书

公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一布线轨道至第三布线轨道在第一方向上平行延伸。第一下线包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线包括在第一方向上间隔开第二距离的第三线和第四线。第一线具有面对第二线的第一端。第三线具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率与第二端处的曲率基本上相同。

本申请要求于2021年9月8日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0119822号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一些示例实施例涉及一种半导体装置和/或一种制造该半导体装置的方法，并且更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体装置和/或一种制造该半导体装置的方法。

背景技术

半导体装置包括集成电路，该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。随着半导体装置的尺寸和/或设计规则逐渐减小，MOSFET的尺寸也逐渐按比例缩小。MOSFET的按比例缩小可能使半导体装置的操作特性劣化。因此，已经进行了各种研究以开发制造半导体装置的方法，该半导体装置具有优异的性能，同时克服了由半导体装置的高集成度引起的限制。

发明内容

本发明构思的一些实施例提供了一种具有增加的可靠性的半导体装置和制造该半导体装置的方法。

根据一些示例实施例，一种半导体装置可以包括：逻辑单元，位于基底上，逻辑单元包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及第一金属层，位于逻辑单元上。第一金属层可以包括：第一电力线和第二电力线，沿着第一方向彼此平行延伸；以及第一下线、第二下线和第三下线，分别位于限定在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道、第二布线轨道和第三布线轨道上。第一布线轨道、第二布线轨道和第三布线轨道可以沿着第一方向彼此平行延伸。第一下线可以包括在第一方向上彼此间隔开第一距离的第一线和第二线。第三下线可以包括在第一方向上彼此间隔开不同于第一距离的第二距离的第三线和第四线。第一线可以具有面对二线的第一端。第三线可以具有面对第四线的第二端。第一端处的曲率可以与第二端处的曲率相同。

根据一些示例实施例，一种半导体装置可以包括：逻辑单元，位于基底上，逻辑单元包括PMOSFET区域和NMOSFET区域；以及第一金属层，位于逻辑单元上。第一金属层可以包括：第一电力线和第二电力线，沿着第一方向彼此平行延伸；以及第一下线、第二下线和第三下线，分别位于限定在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道、第二布线轨道和第三布线轨道上。第一布线轨道、第二布线轨道和第三布线轨道可以沿着第一方向彼此平行延伸。第一下线可以包括彼此平行并且沿着第一方向延伸的第一线和第二线。第三下线可以包括彼此平行并且沿着第一方向延伸的第三线和第四线。第一线与第二线之间的尖端到尖端距离可以是第一距离。第三线与第四线之间的尖端到尖端距离可以是第二距离。第一距离和第二距离中的每个可以是具有在约24nm和约60nm之间的值的特定距离。第一距离和第二距离可以彼此不同。