[发明专利]显示基板和显示装置在审
| 申请号: | 202210587290.9 | 申请日: | 2022-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN114975829A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
| 发明(设计)人: | 龙再勇;王格;张锴;蒋志亮;宋二龙;胡文博;孙华平;袁晓敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 张玲玲 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括显示区和非显示区,所述非显示区包括弯折区;所述非显示区的外侧边缘区域为切割保留区,至少部分所述切割保留区位于所述显示区和所述弯折区之间;所述显示基板包括:
衬底;
发光器件层,位于所述衬底上,且位于所述显示区;
封装层,位于所述发光器件层远离所述衬底的一侧;
触控层,位于所述封装层远离所述衬底的一侧;
第一有机层,位于所述触控层远离所述衬底的一侧,且位于显示区和非显示区;
阻挡部,位于所述显示区的至少一侧,所述阻挡部位于所述显示区与所述弯折区之间,且部分位于所述切割保留区,用于阻止所述第一有机层进入所述弯折区。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡部位于所述第一有机层远离所述显示区的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡部的高度大于所述第一有机层远离所述显示区的边缘的高度;或者,
所述阻挡部的高度小于所述第一有机层远离所述显示区的边缘的高度。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,在与所述显示区指向所述弯折区的方向垂直的方向上,所述切割保留区包括相对的第一边缘和第二边缘,所述第一边缘与所述第二边缘位于所述非显示区的相对两侧,所述阻挡部由所述第一边缘延伸至所述第二边缘。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡部位于所述切割保留区的部分背离衬底的表面到所述衬底的距离为第一距离,所述阻挡部位于所述切割保留区之外的部分背离衬底的表面到所述衬底的距离为第二距离,所述第一距离小于所述第二距离。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括多个有机层,所述阻挡部位于所述切割保留区的部分包括至少两个有机层。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述触控层与所述第一有机层之间的第二有机层、位于所述发光器件层朝向所述衬底一侧的平坦化层、以及所述发光器件层包括的像素限定层;
所述阻挡部位于所述切割保留区的部分至少包括所述第二有机层、所述平坦化层及所述像素限定层中的至少两层。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一有机层采用喷墨打印工艺形成,所述第二有机层的材料为有机树脂。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述切割保留区的阻挡块,所述阻挡块位于所述阻挡部背离所述弯折区的一侧。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡块的宽度与所述切割保留区的宽度相同。
11.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述阻挡块与所述阻挡部同层设置。
12.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述封装层包括有机封装层,所述有机封装层至少部分位于所述显示区;所述阻挡部位于所述有机封装层远离所述显示区的一侧;所述有机封装层包括斜坡部,所述斜坡部的厚度分布不均匀。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其特征在于,所述第一有机层包括光学补偿部,所述斜坡部在所述衬底上的投影位于所述光学补偿部在所述衬底上的投影内,所述光学补偿部被配置为减弱或消除由所述斜坡部引起的显示画面上出现波浪纹的现象。
14.根据权利要求13所述的显示基板,其特征在于,在所述显示区内的不同位置,所述光学补偿部的厚度与所述斜坡部的厚度之和基本相同,所述斜坡部的折射率与所述光学补偿部的折射率相同,所述光学补偿部远离所述衬底的表面与所述衬底面向所述发光器件层的表面平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





