[发明专利]硅通孔转接板、制造方法及多面互连的异构三维封装结构

权利要求书

1.一种硅通孔转接板，其特征在于，所述硅通孔转接板包括转接板板体，第一芯片、第二芯片和至少两个焊球；

所述转接板板体具有第一凹槽，第二凹槽，第一通孔以及第二通孔；

所述第一凹槽开设于所述转接板板体的第一表面，所述第二凹槽开设于所述转接板板体的第二表面，所述转接板板体的第一表面与所述转接板板体的第二表面相对；

所述第一通孔以及所述第二通孔分别位于所述第一凹槽的两侧；所述第一通孔以及所述第二通孔贯穿所述转接板板体；

所述第一芯片位于所述第一凹槽形成的容置空间内，且与所述第一凹槽固定连接；

所述第二芯片位于所述第二凹槽形成的容置空间内，且与所述第二凹槽固定连接；

所述第一通孔以及所述第二通孔内具有填充连接体；

所述转接板板体的第一表面设置有第一多层再布线，所述转接板板体的第二表面设置有第二多层再布线；

所述第一芯片与所述填充连接体通过第一多层再布线电性连接，所述第二芯片与所述填充连接体通过第二多层再布线电性连接；

所述第二多层再布线上设置有焊球，所述焊球与所述第二多层再布线电性连接。

2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一芯片与所述第一凹槽通过粘结体固定连接；

所述第二芯片与所述第二凹槽通过所述粘结体固定连接。

3.根据权利要求2所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述粘结体实现为环氧树脂；或，所述粘结体实现为金属焊料。

4.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一芯片与所述第二芯片的芯片种类相同；或，所述第一芯片与所述第二芯片的芯片种类不同。

5.一种硅通孔转接板的制造方法，其特征在于，所述方法用于制造如权利要求1至4任一所述的硅通孔转接板，所述方法包括如下步骤：

步骤一、获取转接板板体并确定与所述转接板板体对应的第一芯片以及第二芯片；

步骤二、在所述转接板板体上制作第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔以及所述第二通孔之间的宽度大于所述第一芯片的宽度，且大于所述第二芯片的宽度；

步骤三、在所述转接板板体的第一表面进行刻蚀，得到第一凹槽，并将所述第一芯片与所述第一凹槽固定连接，所述第一凹槽的尺寸与所述第一芯片的尺寸适配；

步骤四、在所述第一通孔以及所述第二通孔内进行填充连接体填充；

步骤五、在所述转接板板体的第一表面制作第一多层再布线；

步骤六、将所述填充连接体以及所述第一芯片分别与所述第一多层再布线通信连接；

步骤七、对所述第一凹槽进行临时键合处理；

步骤八、对所述转接板板体的第二表面进行刻蚀，得到第二凹槽，并将所述第二芯片与所述第二凹槽固定连接，所述第二凹槽的尺寸与所述第二芯片的尺寸适配；

步骤九、在所述转接板板体的第二表面制作第二多层再布线；

步骤十、将所述填充连接体以及所述第二芯片分别与所述第二多层再布线通信连接；

步骤十一、将至少两个焊球与所述第二多层再布线电性连接。

6.根据权利要求5所述的硅通孔转接板的制造方法，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽的厚度均小于所述转接板板体厚度的1/2。

7.根据权利要求5所述的硅通孔转接板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一通孔以及所述第二通孔内进行填充连接体填充，包括：

通过电镀工艺在所述第一通孔以及所述第二通孔内进行填充连接体填充。

8.根据权利要求5所述的硅通孔转接板的制造方法，其特征在于，所述焊球的材料包括锡铅、锡银铜或锡银中的至少一种。