[发明专利]一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺在审
| 申请号： | 202210582973.5 | 申请日： | 2022-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115016063A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 王磊;曲迪;李宗宴;付通;王谦;于帅;宋学颖 | 申请（专利权）人： | 天津华慧芯科技集团有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300467 天津市滨海新区生态城*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双层 胶掩膜 分步 刻蚀 纳米 精度 波导 工艺 | ||
1.一种双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于，包括：
步骤一、准备LNOI片；
步骤二、旋涂HSQ/ZEP：在所述LNOI片上旋涂HSQ/ZEP双层胶，其中：ZEP为底层胶，HSQ为顶层胶；对ZEP的厚度进行调控；
步骤三、光刻显影HSQ：利用电子束曝光波导图形，显影去除未曝光位置的HSQ；
步骤四、干法刻蚀ZEP：对刻蚀参数进行调控，所述刻蚀参数包括气体比例，偏压功率，反应室压力，保证ZEP的侧壁形貌陡直，无侧蚀现象；
步骤五、分步刻蚀LN：HSQ/ZEP作为掩膜，首先利用CHF3和Ar等离子体进行短时间的常规刻蚀，然后利用CHF3等离子体进行更短时间的刻蚀，利用化学刻蚀的各向同性减小薄膜LN波导的侧壁起伏，然后重复该步骤五，直至完成刻蚀；
步骤六、去除HSQ/ZEP：采用丁酮溶液去除HSQ/ZEP掩膜。
2.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述ZEP的厚度范围是100nm～400nm，保证HSQ/ZEP去除干净和HSQ/ZEP掩膜的整体耐刻蚀性。
3.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述气体比例为O2:Ar＝2:1，偏压功率为50W，反应室压力为5mtorr。
4.根据权利要求1所述的双层胶掩膜分步刻蚀亚纳米级精度波导工艺，其特征在于：所述短时间的范围是30s～25min。
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