[发明专利]整流器及连续对数检波器有效

专利信息
申请号: 202210579471.7 申请日: 2022-05-26
公开(公告)号: CN114978044B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 谢丹 申请(专利权)人: 成都仕芯半导体有限公司
主分类号: H03D1/06 分类号: H03D1/06;H03D1/04;H03D1/18;H03K5/1252
代理公司: 成都云纵知识产权代理事务所(普通合伙) 51316 代理人: 熊曦;陈婉鹃
地址: 611730 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 整流器 连续 对数 检波器
【权利要求书】:

1.整流器,其特征在于,所述整流器包括:

双平衡差动电路,所述双平衡差动电路用于对输入信号进行整流处理获得整流信号;

线性化处理电路,所述线性化处理电路用于对所述整流信号进行线性化处理获得与所述输入信号中的输入电压成线性化关系的第一电流,以及用于对所述第一电流进行滤波处理获得第二电流,以及用于将所述第二电流作为工作电流输入至电流镜电路;

电流镜电路,所述电流镜电路用于将所述第一电流镜像到所述整流器的输出,所述电流镜电路包括:第一金属氧化物场效应晶体管和第二金属氧化物场效应晶体管,其中,所述第一金属氧化物场效应晶体管的漏极、所述第一金属氧化物场效应晶体管的栅极和所述第二金属氧化物场效应晶体管的栅极均与所述第六双极性晶体管的集电极和所述第五双极性晶体管的集电极连接,所述第一金属氧化物场效应晶体管的源极和所述第二金属氧化物场效应晶体管的源极均与第一电容的负极、所述第一双极性晶体管的漏极、所述第三双极性晶体管的漏极以及电源连接,所述第二金属氧化物场效应晶体管的漏极与所述整流器的输出端连接;

所述双平衡差动电路包括:第一对管差动电路、第二对管差动电路和电流源电路,所述第一对管差动电路和所述第二对管差动电路用于联动完成对所述输入信号的整流处理,所述电流源电路用于为所述第一对管差动电路和所述第二对管差动电路提供直流电流;

所述第一对管差动电路包括:第一双极性晶体管和第二双极性晶体管,所述第二对管差动电路包括:第三双极性晶体管和第四双极性晶体管,其中,所述第一双极性晶体管的基极与所述整流器的正输入端连接,所述第一双极性晶体管的发射极与所述电流源电路和所述第二双极性晶体管的发射极连接,所述第一双极性晶体管的集电极和所述第三双极性晶体管的集电极与所述电流镜电路连接;所述第二双极性晶体管的基极和所述第三双极性晶体管的基极均与所述整流器的负输入端连接,所述第二双极性晶体管的集电极与所述线性化处理电路连接;所述第三双极性晶体管的发射极和所述第四双极性晶体管的发射极均与所述电流源电路连接,所述第四双极性晶体管的基极与所述整流器的正输入端连接,所述第四双极性晶体管的集电极与所述线性化处理电路连接;

所述线性化处理电路包括:第五双极性晶体管、第六双极性晶体管和第一电容;

所述第五双极性晶体管的基极、所述第五双极性晶体管的集电极、所述第一电容的正极、所述第六双极性晶体管的基极和所述第六双极性晶体管的集电极均与所述电流镜电路连接,所述第五双极性晶体管的发射极与所述第二双极性晶体管的集电极连接,所述第六双极性晶体管的发射极与所述第四双极性晶体管的集电极连接,所述第一电容的负极与所述一双极性晶体管的集电极、所述第三双极性晶体管的集电极和所述电流镜电路均连接,所述第一电容的正极与第一金属氧化物场效应晶体管的漏极、第一金属氧化物场效应晶体管的栅极和第二金属氧化物场效应晶体管的栅极均连接。

2.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,所述电流源电路包括第一支路和第二支路,所述第一支路和所述第二支路分别用于为所述第一对管差动电路和所述第二对管差动电路提供电流。

3.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,所述第一双极性晶体管至所述第六双极性晶体管均为异质结双极晶体管。

4.根据权利要求2所述的整流器,其特征在于,所述第一双极性晶体管的发射极与所述第一支路之间连接有第一电阻,所述第二双极性晶体管的发射极与所述第一支路之间连接有第二电阻,所述第三双极性晶体管的发射极与所述第二支路之间连接有第三电阻,所述第四双极性晶体管的发射极与所述第二支路之间连接有第四电阻。

5.根据权利要求1所述的整流器,其特征在于,所述第一金属氧化物场效应晶体管的漏极与所述第六双极性晶体管之间连接有第五电阻。

6.连续对数检波器,所述连续对数检波器包括权利要求1-5中任意一个所述的整流器。

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