[发明专利]一种全背接触晶硅异质结太阳电池结构的制备方法

权利要求书

1.一种全背接触晶硅异质结太阳电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在晶硅衬底(1)的背光面上覆盖制备第一界面钝化层(2)；在所述晶硅衬底(1)的迎光面上覆盖制备第二界面钝化层(3)；

在所述第一界面钝化层(2)上制备带图形化结构的第一牺牲层(S1)，并按照所述图形化结构露出所述第一界面钝化层(2)；所述第一牺牲层(S1)为光刻胶层、干膜层或石蜡层；

在所述背光面上依次覆盖制备取出所述晶硅衬底(1)中的第一种载流子的第一载流子选择性接触层(4)和第二牺牲层(S2)；所述第一载流子选择性接触层(4)和第二牺牲层(S2)的总厚度小于第一牺牲层(S1)的厚度；

采用有机溶剂溶解去除所述第一牺牲层(S1)，同时剥离所述第一牺牲层(S1)上的第一载流子选择性接触层(4)和第二牺牲层(S2)；

在所述背光面上覆盖制备取出所述晶硅衬底(1)中的第二种载流子的第二载流子选择性接触层(5)；所述第二载流子选择性接触层(5)的厚度小于所述第一载流子选择性接触层(4)和第二牺牲层(S2)的总厚度；

采用第一酸性溶液刻蚀去除所述第二牺牲层(S2)，同时剥离去除第二牺牲层(S2)上的第二载流子选择性接触层(5)，露出具有图形化结构的第一载流子选择性接触层(4)；所述第一酸性溶液不刻蚀所述第二载流子选择性接触层(5)、第一载流子选择性接触层(4)和第二界面钝化层(3)；

在所述背光面上覆盖制备透明导电电极层(6)；

在所述透明导电电极层(6)上，通过一次丝网印刷同时印制第一金属电极(7)和第二金属电极(8)；所述第一金属电极(7)处于所述第一载流子选择性接触层(4)所对应区域内，所述第二金属电极(8)处于所述第二载流子选择性接触层(5)所对应区域内，且所述第一金属电极(7)和第二金属电极(8)之间留有间隙；

采用第二酸性溶液刻蚀去除所述第一金属电极(7)和第二金属电极(8)之间露出的所述透明导电电极层(6)；所述第二酸性溶液不刻蚀所述第一界面钝化层(2)、第二界面钝化层(3)、第一金属电极(7)和第二金属电极(8)；

在所述迎光面覆盖的第二界面钝化层(3)上覆盖制备光学减反射层(9)，得到全背接触晶硅异质结太阳电池结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备带图形化结构的第一牺牲层(S1)的过程包括：在所述第一界面钝化层(2)上覆盖第一牺牲层(S1)，采用波长10.6μm的CO₂激光对所述第一牺牲层(S1)进行图形化刻蚀，形成图形化结构，并按照所述图形化结构露出所述第一界面钝化层(2)。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述图形化结构为插指状图形化结构；所述制备第一牺牲层(S1)的方法包括旋涂、贴膜或涂布。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一界面钝化层(2)为硅薄膜层、硅氧薄膜层和包含其他IVA族元素的硅合金薄膜层中的一种或多种；所述第一界面钝化层(2)为一层非晶层或含有至少一层非晶层的复合层；所述第一界面钝化层(2)的制备方法包括等离子体辅助化学气相沉积、热丝辅助化学气相沉积、湿化学氧化或等离子体氧化；所述第二界面钝化层(3)为硅薄膜层和包含其他IVA族元素的硅合金薄膜层中的一种或多种；所述第二界面钝化层(3)为一层非晶层或含有至少一层非晶层的复合层；所述第二界面钝化层(3)的制备方法为等离子体辅助化学气相沉积或热丝辅助化学气相沉积。