[发明专利]一种基于导纳单元预存的PET高效电磁暂态等效模型的构建方法在审

专利信息
申请号: 202210576346.0 申请日: 2022-05-25
公开(公告)号: CN115034168A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 许建中;孙昱昊;王晗玥 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G06F30/373 分类号: G06F30/373;G06F30/367
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;陈亮
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 导纳 单元 pet 高效 电磁 等效 模型 构建 方法
【权利要求书】:

1.一种基于导纳单元预存的PET高效电磁暂态等效模型的构建方法,其特征在于,所述方法包括:

步骤1、针对级联H桥型PET系统,将功率模块PM伴随电路划分为定导纳和不定导纳单元,并从有载二端口的角度出发推导出H桥不定导纳单元对外仅含两种等效导纳,为二值导纳单元;

步骤2、将各单元的导纳参数预存,快速获取功率模块PM等值电路的等效导纳,并利用叠加定理求取等效电流源参数,建立功率模块PM等值电路;

步骤3、将建立的功率模块PM等值电路以高压侧戴维南形式串联、低压侧诺顿形式并联的方式聚合,形成级联H桥型PET的等效模型;

步骤4、将步骤3得到的级联H桥型PET的等效模型代入外电路进行解算,更新外端口电压电流,并反解功率模块PM的端口电压与内部变压器端口电压的更新值,将该更新值用于下一步长的迭代计算。

2.根据权利要求1所述基于导纳单元预存的PET高效电磁暂态等效模型的构建方法,其特征在于,所述步骤1的过程具体为:

针对级联H桥型PET系统,每相由若干功率模块PM采用输入侧串联输出侧并联的方式连接而成,每个功率模块PM由输入侧的H桥和含高频隔离变压器的双有源桥变换器构成;

针对单个功率模块PM,将IGBT-二极管开关组电路采用二值电阻等值,电容元件与高频隔离变压器采用梯形积分法离散化,可获取功率模块PM伴随电路表示如下:

其中,下标A、H和L分别表示交流侧、直流高压侧和直流低压侧;Δt为仿真步长;GCi与jCi分别为电容等效导纳与等效历史电流源;GT11、GT22,GT12、GT21和jTi分别为变压器端口的输入导纳、转移导纳以及端口等效历史电流源;L1和L2为变压器原/副边漏电感;Lm为励磁电感;LT为附加电感;

按导纳参数是否可定为标准,将功率模块PM伴随电路划分为6个子单元形式,其中高频变压器单元和两个电容单元为定导纳单元,三个H桥单元为不定导纳单元;

由于高频隔离变压器的存在,对于单个H桥单元,其二端口网路在非闭锁运行状态下,由级联H桥的控制方式可知,H桥单元的导通信号满足同桥臂互补,可用控制信号T1、T3表示H桥单元的导通状态,导通为1,关断为0,具体如表1所示:

表1H桥单元导通状态

其中,GON和GOFF为二值导纳值,导通时取GON=100S,关断时GOFF=10-6S;

在4种导通状态下分别求取H桥单元的短路导纳参数矩阵,各元素定义如式(2)所示:

其中,Y11、Y22表示端口的输入导纳;Y12、Y21表示转移导纳;

1)当T1≠T3

该状态下H桥单元任意相邻开关组导通状态互补,短路导纳参数矩阵可表示为式(3)所示:

其中,K表示由T1、T3控制的符号函数,满足下式关系:

2)当T1=T3

此时H桥单元两桥臂同位置的开关组导通状态相同,短路导纳参数矩阵可表示为:

由式(3)~(5)可知,H桥单元的短路导纳参数矩阵至多含3种情况,且均满足Y12=Y21,为互易双端口网络;

为了研究H桥单元二端口电路对外的等效导纳,从输入导纳的角度切入,假设在有载的情况下,求取H桥单元二端口电路的输入导纳:

1)当T1≠T3

由于对称性,从两个端口观察的输入导纳相等,联立端口导纳方程,可求得输入导纳为:

式(6)中,满足K2=1,当负载YL为定值时,输入导纳也必为定值;

因此,当T1≠T3时,无论从哪个端口看,H桥单元对外的等效导纳均为定值;

2)当T1=T3

类似式(6),可求得两端口的输入导纳分别为:

由于转移导纳Y12=Y21=0,使得两个端口彼此独立,此时H桥单元表现为两个单端口电路,端口导纳值唯一确定,分别为输入导纳Y11、Y22

故无论从哪个端口观察,H桥单元对外表现出的输入导纳仅含2种情况且均为定值,可看作为二值导纳单元。

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