[发明专利]一种对准误差的量测方法及系统有效
| 申请号: | 202210565869.5 | 申请日: | 2022-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN114660907B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
| 发明(设计)人: | 杨学人 | 申请(专利权)人: | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王积毅 |
| 地址: | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 对准 误差 方法 系统 | ||
1.一种对准误差的量测方法,其特征在于,包括以下步骤:
选取多个待测晶圆,且所述待测晶圆上设置有多个对准标记;
依据至所述待测晶圆中心的距离,将每个所述待测晶圆划分为多个待测区域;
在每个所述待测区域内选取至少一个待测曝光区域;
在每个所述待测曝光区域内选取多个量测点,且每个所述量测点在所述待测晶圆上对应设置有所述对准标记;以及
获取每个所述量测点与所述对准标记的误差为所述对准误差;
其中,在每个所述待测区域内选取所述待测曝光区域的方法包括:
在每个所述待测区域的半径方向上,依据每个所述待测区域内需要选取的所述待测曝光区域的数量,将所述待测区域划分为多个子待测区域;以及
在每个所述子待测区域内选取一个曝光区域为所述待测曝光区域。
2.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,选取多个所述待测晶圆的方法包括:
依据每个所述待测晶圆的量测时间,获取每个所述待测晶圆上所述量测点的数量;以及
依据所需所述量测点的总数量,以及每个所述待测晶圆上所述量测点的数量,获取所述待测晶圆的数量。
3.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,每个所述子待测区域的径向尺寸为:所述待测区域的径向尺寸/每个所述待测区域内选取的所述待测曝光区域的数量。
4.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,在每个所述待测区域内,相邻所述待测曝光区域之间的夹角通过以下公式获取:
X=(360°/a)±b;
其中,X为相邻所述待测曝光区域之间的夹角,a为每个所述待测区域内选取的所述待测曝光区域的数量,b为预设角度。
5.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,当每个所述待测晶圆上的所述待测曝光区域选取完成后,将选取的所述待测曝光区域的位置信息存储在信息保存单元内。
6.根据权利要求5所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,在后一个所述待测晶圆上选取所述待测曝光区域时,选取所述待测曝光区域的位置信息未被存储在信息保存单元内,且与上一个所述待测晶圆上所述待测曝光区域最远的曝光区域为所述待测曝光区域。
7.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,当所述待测区域中的曝光区域完全被选取为所述待测曝光区域后,依照第一轮所述待测曝光区域的选取顺序,依次将第一轮中选取的所述曝光区域作为所述待测曝光区域。
8.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,在每个所述待测曝光区域内选取多个所述量测点的方法包括:
选取每个所述待测曝光区域的中心点作为中心量测点。
9.根据权利要求1所述的一种对准误差的量测方法,其特征在于,在每个所述待测曝光区域内选取多个所述量测点的方法还包括:
以所述待测曝光区域的中心作为中心点,将所述待测曝光区域区分为多个象限;以及
在每个所述象限内选取一个点位作为量测点。
10.一种对准误差的量测系统,其特征在于,至少包括:
待测晶圆获取单元,用于选取多个待测晶圆;
待测区域划分单元,用于依据至所述待测晶圆中心的距离,将每个所述待测晶圆划分为多个待测区域;
待测曝光区域获取单元,用于在每个所述待测区域内选取至少一个待测曝光区域,其中,在每个所述待测区域内选取所述待测曝光区域的方法包括:在每个所述待测区域的半径方向上,依据每个所述待测区域内需要选取的所述待测曝光区域的数量,将所述待测区域划分为多个子待测区域;以及在每个所述子待测区域内选取一个曝光区域为所述待测曝光区域;
量测点获取单元,用于在每个所述待测曝光区域内选取多个量测点,且每个所述量测点在所述待测晶圆上对应设置有对准标记;以及
对准误差获取单元,用于获取每个所述量测点与所述对准标记的误差为所述对准误差。
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