[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202210560855.4 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN115472628A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 木村史哉;铃村功;长泽顺子;井本温子 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 邸万杰;徐飞跃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本发明提供能够实现高分辨率的显示装置。显示装置包括半导体层(SC1)、第1绝缘层(14)、栅极电极(GE1)、第2绝缘层(15)、第3绝缘层(18)、滤色片(CF)和具有像素电极(PE)、第1导电层(TE1)和第2导电层(TE2)的多个透明导电层(TE)。所述第1导电层位于所述第2绝缘层与所述第3绝缘层之间,通过形成于所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的第1接触孔(h7)而与半导体层(SC1)的第2区域接触。所述第2导电层位于滤色片(CF)之上,与所述第1导电层接触。像素电极(PE)位于所述第2导电层之上,与所述第2导电层接触。
本申请主张日本专利申请2021-087007(申请日:2021年5月24日)的优先权。本申请通过参照该优先权申请,包括该优先权申请的全部内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
作为显示装置,例如已知液晶显示装置。液晶显示装置具有能够获得高亮度和高可靠性的特长。在上述显示装置中要求高分辨率。为了确保一定以上的亮度水平,需要提高开口率。但是,因配线的布局的问题等,提高开口率的难度很高。
发明内容
本实施方式提供能够实现高分辨率的显示装置。
一个实施方式的显示装置包括:半导体层,其具有第1区域、第2区域和位于所述第1区域与所述第2区域之间的沟道区域;位于所述半导体层之上的第1绝缘层;位于所述第1绝缘层之上,与所述沟道区域相对的栅极电极;位于所述第1绝缘层和所述栅极电极之上的第2绝缘层;位于所述第2绝缘层之上,由有机绝缘材料形成的第3绝缘层;位于所述第3绝缘层之上的滤色片;和位于所述第2绝缘层之上,具有像素电极、第1导电层和第2导电层的多个透明导电层,所述第1导电层位于所述第2绝缘层与所述第3绝缘层之间,通过形成于所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的第1接触孔而与所述半导体层的所述第2区域接触,所述第2导电层位于所述滤色片之上,与所述第1导电层接触,所述像素电极位于所述第2导电层之上,与所述第2导电层接触。
附图说明
图1是表示一个实施方式的液晶显示装置的结构的立体图。
图2是表示图1所示的液晶显示面板的截面图。
图3是表示图1所示的液晶显示面板和驱动部的电路图,是一并表示一个像素的电路结构的图。
图4是表示上述液晶显示面板中的像素排列的平面图。
图5是表示上述液晶显示面板的显示区域和非显示区域的结构的截面图。
图6是表示上述液晶显示面板的阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个半导体层和多个栅极电极的图。
图7是表示上述阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个半导体层、多个源极线和多个接触电极的图。
图8是表示上述阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个源极线和多个接触电极的图。
图9是表示上述阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个源极线、多个接触电极和多个像素电极的图。
图10是表示上述阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个源极线、第2共通电极和金属层的图。
图11是表示上述阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个源极线、多个像素电极和第1共用电极的图。
图12是表示上述实施方式的变形例的阵列基板的显示区域的一部分的放大平面图,是表示多个栅极线、多个源极线、多个像素电极和第1共用电极的图。
图13是表示沿图7的线XIII-XIII的阵列基板的截面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的