[发明专利]PH响应表面结构及其制备方法、电子设备有效

专利信息
申请号: 202210555940.1 申请日: 2022-05-20
公开(公告)号: CN114989474B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 王萌;高儒明;刘胜凯;龙嘉钊 申请(专利权)人: 深圳技术大学
主分类号: C08J7/12 分类号: C08J7/12;C08L63/00;C08L67/00;B81C1/00;B81B1/00;C23C14/20;C23C14/24
代理公司: 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 代理人: 帅进军
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: ph 响应 表面 结构 及其 制备 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种PH响应表面结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供形状记忆聚合物结构层,所述形状记忆聚合物结构层包括第一表面;

采用激光逐行扫描方法对所述第一表面的全部区域进行处理从而在所述第一表面形成微纳米尺度的粗糙度结构,所述激光逐行扫描方法采用的激光功率、扫描间距和扫描速度分别为8mW-12mW、5μm-7μm和5000μm/s-7000μm/s;采用正交交叉逐线激光烧蚀法再次在所述第一表面扫描形成微柱阵列,所述正交交叉逐线激光烧蚀法采用的激光功率、扫描速度、相邻扫描线间距分别为20mW-40mW、3000μm/s-5000μm/s和2μm-3μm;所述微柱阵列包含多个均匀排布且存在间隔的微柱,各个所述微柱的横截面均为矩形,且底部的横截面积至顶部的横截面积均匀变小;

在所述第一表面形成金属层;

将所述第一表面的金属层与PH刺激响应聚合物进行枝接,得到所述PH响应表面结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述提供形状记忆聚合物结构层的步骤包括:

提供环氧树脂和超支化聚酯,并将所述环氧树脂和超支化聚酯混合直至所述超支化聚酯溶解于所述环氧树脂中;

在所述环氧树脂中加入固化剂,并进行搅拌直至所述固化剂均匀混合于所述环氧树脂中,得到固化剂与环氧树脂的混合物;

将所述混合物注入模具中,并分两个阶段进行固化处理,在第一阶段将所述模具中的所述混合物置于50℃至170℃的温度环境下固化,持续时间1小时至6小时,在第二阶段将所述模具中的所述混合物置于80℃至200℃的温度环境下固化,持续时间0小时至6小时;

冷却所述模具中的所述混合物至室温并脱模,得到形状记忆环氧树脂,作为所述形状记忆聚合物结构层;其中,所述环氧树脂、所述固化剂和所述超支化聚酯的重量份之比为100︰a︰b,a的取值范围为8至80,b的取值范围为3至20。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在第一表面形成金属层之前还包括改性处理所述形状记忆聚合物结构层以降低表面能的步骤,其中包括以下利用氟烷基硅烷对所述形状记忆聚合物结构层的表面改性处理的步骤:

采用超声清洗方式,并利用去离子水对飞秒激光处理后的所述形状记忆聚合物结构层进行清洗,清洗时间为10分钟至15分钟;

将所述形状记忆聚合物结构层浸入氟烷基硅烷溶液中,并于室温下放置12小时,所述氟烷基硅烷溶液为氟硅烷、三甲氧基(1H,1H,2H,2H-十七氟癸基)硅烷以及质量分数为2wt%的乙醇溶液。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述第一表面形成金属层的步骤包括:

将所述形状记忆聚合物结构层放置在烘箱中加热4小时至6小时,其中加热温度为50℃至60℃;

使用真空蒸镀工艺在所述形状记忆聚合物结构层的表面沉积厚度为10nm至15nm的金薄膜或铜薄膜,作为所述金属层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳技术大学,未经深圳技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210555940.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top