[发明专利]具有双三维全包围保护环的X射线检测器及制备方法

说明书

本发明涉及一种具有双三维全包围保护环的X射线检测器及制备方法。其包括具有第一导电类型的衬底以及制备于所述衬底中心区的像素单元区，其中，所述像素单元区与所在衬底的正面对应；在所述衬底内设置用于吸收表面电流并降低电场梯度的第二导电类型保护内环以及用于隔离切割面漏电的第一导电类型保护外环，其中，所述第一导电类型保护外环以及第二导电类型保护内环均环绕包围像素单元区，第二导电类型保护内环位于第一导电类型保护外环所围合的区域内。本发明能有效减少保护环死区，提高击穿电压，降低机械划片切割的影响，提高制备的良率，降低制备成本，安全可靠。

技术领域

本发明涉及一种X射线检测器及制备方法，尤其是一种具有双三维全包围保护环的X射线检测器及制备方法。

背景技术

目前，X射线像素阵列检测器大多数是基于平面保护环设计，通过多个平面保护环，一方面隔离切割道边缘的缺陷对检测器件体的影响，另一方面可平滑检测器边缘的电场强度，增大检测器的击穿电压。

对现有基于平面保护环的X射线检测器，平面保护环在工作时，会增大死区面积。此外，采用机械划片方式对X射线检测器切割分离时，切割时，容易损伤或影响到X射线检测器，导致制备X射线检测器的良率降低，制造成本增加。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有双三维全包围保护环的X射线检测器及制备方法，其能有效减少保护环死区，提高击穿电压，降低机械划片切割的影响，提高制备的良率，降低制备成本，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述具有双三维全包围保护环的X射线检测器，包括具有第一导电类型的衬底以及制备于所述衬底中心区的像素单元区，其中，所述像素单元区与所在衬底的正面对应；

在所述衬底内设置用于吸收表面电流并降低电场梯度的第二导电类型保护内环以及用于隔离切割面漏电的第一导电类型保护外环，其中，所述第一导电类型保护外环以及第二导电类型保护内环均环绕包围像素单元区，第二导电类型保护内环位于第一导电类型保护外环所围合的区域内。

所述像素单元区包括若干相互独立的像素单元体，所述像素单元体包括制备于衬底内的第二导电类型像素块以及与所述第二导电类型像素块欧姆接触的像素单元体电极，其中，

在衬底内，第二导电类型像素块从所述衬底的正面向指向所述衬底背面的方向垂直延伸。

第二导电类型保护内环包括制备于衬底内的保护内环槽以及制备于所述保护内环槽内的第二导电类型保护槽内体，其中，

保护内环槽环绕包围像素单元区，保护内环槽从衬底的正面向指向所述衬底背面的方向垂直延伸，保护内环槽的槽底位于第二导电类型像素块的下方。

所述第二导电类型保护槽内体通过填充方式或离子注入方式制备于所述保护内环槽内，所述第二导电类型保护槽内体与衬底正面上的保护内环电极欧姆接触。

所述第一导电类型保护外环包括第一导电类型保护上环以及与所述第一导电类型保护上环所围合区域对应的第一导电类型保护下环，其中，

第一导电类型保护上环从衬底的正面向指向所述衬底的背面方向垂直延伸，保护内环槽位于第一导电类型保护上环所围合的区域内，第一导电类型保护上环的下端部位于保护内环槽的槽底下方；

第一导电类型保护下环从衬底的背面向指向所述衬底的正面方向垂直延伸，第一导电类型保护下环与第二导电类型保护内环对应，且第一导电类型保护下环的上端部与第一导电类型保护上环的下端部交叠。

所述第一导电类型保护上环包括制备于衬底内的保护外环槽以及制备于所述保护外环槽内的第一导电类型保护槽内体，其中，

第二导电类型保护内环以及像素单元区均位于保护外环槽的内圈，保护外环槽的槽底位于保护内环槽槽底的下方，第一导电类型保护槽内体与衬底正面上的保护外环上电极欧姆接触。