[发明专利]一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法

权利要求书

1.一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、在压力传感器芯片和基座层之间设置芯片玻璃层；

S2、在所述芯片玻璃层上设置有孔，在孔内设置有过渡金属层；

S3、所述压力传感器芯片和所述基座层通过所述芯片玻璃层进行烧结；

S4、所述基座层上设置信号传输线，所述信号传输线贯穿所述基座层，所述过渡金属层与所述信号传输线的一端烧结；

S5、所述过渡金属层与所述基座层之间设置过渡玻璃层，所述过渡金属层通过所述过渡玻璃层与所述基座层烧结为一体；

所述过渡金属层的热膨胀系数大于所述压力传感器芯片的热膨胀系数，所述过渡金属层的热膨胀系数小于信号传输线的热膨胀系数；

所述过渡金属层为三层过渡金属，所述过渡金属按所述压力传感器芯片往所述基座层的方向，按照热膨胀系数逐层升高的方式进行排列；

所述过渡金属层设置为多层结构，多层所述过渡金属层中距离所述压力传感器芯片最远的为最外层过渡金属层，所述信号传输线的一端与所述最外层过渡金属层进行烧结；

在所述最外层过渡金属层与过渡玻璃层之间内灌入金属，形成灌孔金属层，所述灌孔金属层的热膨胀系数介于所述信号传输线和所述最外层过渡金属层之间，用于所述最外层过渡金属层和所述信号传输线连接，所述灌孔金属层填满所述最外层过渡金属层内部形成的空腔，通过所述灌孔金属层将所述信号传输线与所述最外层过渡金属层进行烧结；

所述基座层采用玻璃材质，所述压力传感器芯片和基座玻璃之间的烧结采用玻璃微熔技术，使所述压力传感器芯片和所述基座层烧结为一体；

在所述压力传感器芯片表面设置低熔点玻璃，使所述压力传感器芯片在低于600℃的环境下与所述基座层进行烧结；

所述压力传感器芯片采用SOI压力传感器芯片，所述信号传输线为膨胀合金线。

2.如权利要求1所述的一种低应力的耐高温压力传感器芯片封装方法，其特征在于：所述基座层烧结好的压力传感器芯片外还设置有膨胀合金外壳，将与基座层烧结好的压力传感器芯片固定在所述膨胀合金外壳内。