[发明专利]一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法在审
| 申请号： | 202210541419.2 | 申请日： | 2022-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN114749873A | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 高凡 | 申请（专利权）人： | 温州海得利电气有限公司 |
| 主分类号： | B23P15/00 | 分类号： | B23P15/00 |
| 代理公司： | 温州市品创专利商标代理事务所(普通合伙) 33247 | 代理人： | 江杰 |
| 地址： | 325000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 电热 测试 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1：制管，其中，管体的一端密闭，且管体的另一端为敞口结构；
S2：在瓷棒的外部绕上发热合金材料；
S3：在已绕上发热合金材料的瓷棒中间，插入合金丝状材料，并且接上高温线，形成半成品；
S4：将传热介质制成各种形状的空心瓷块，在S3的半成品套入不等数量的空心瓷块；
S6：将半成品的高温线端选择性的套入密封橡胶件；
S7：将半成品的一端插入到钢管内；
S9：通过设备缩小钢管的直径；
S10：使用设备对钢管进行抛光打磨。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法，其特征在于：所述瓷棒的长度为5-100毫米。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法，其特征在于：通过步骤S9后，钢管的直径为0.8-5.5毫米，钢管的长度为10-120毫米。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法，其特征在于：所述瓷棒上的绕丝长度为5-100毫米。
5.根据权利要求1所述的一种半导体芯片电热测试芯杆的制造方法，其特征在于：所述空心瓷块采用S4中的传热介质，进行替代。
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