[发明专利]LED芯片、LED芯片封装模组和显示装置

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

第一台面结构，所述第一台面结构位于所述衬底上；

第二台面结构，所述第二台面结构位于所述衬底上；

跨接导电块，所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部，所述跨接导电块的第一端通过所述第一接触部电连接所述第一台面结构的顶层，所述跨接导电块的第二端通过所述第二接触部电连接所述第二台面结构的底层，所述结部形成于所述第一台面结构和第二台面结构之间的部分凹槽之上；

所述第二接触部的宽度大于所述结部的宽度。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述结部的宽度大于所述第一接触部的宽度，或者所述结部的宽度小于所述第一接触部的宽度。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述结部的平分线与所述第一接触部的平分线重合于第一直线，所述第二接触部的平分线为第二直线，所述第一直线平行于所述第二直线，所述第二接触部连接所述结部的外拐角；或者，所述结部的平分线与所述第二接触部的平分线重合于第一直线，所述第一接触部的平分线为第二直线，所述第一直线平行于所述第二直线，所述第一接触部连接所述结部的内拐角。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述跨接导电块为两个，且分别位于整个俯视投影区域的两个相对边缘。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二台面结构顶层的俯视投影呈具有两个边角缺口的倒角矩形，所述边角缺口朝向所述第一台面结构，两个所述边角缺口对称；所述边角缺口与所述跨接导电块相匹配。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括DBR反射层，所述DBR反射层覆盖所述第一台面结构和第二台面结构裸露出的表面及所述跨接导电块。

7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，还包括第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫和第二导电垫设置在所述DBR反射层之上，其中所述第一导电垫贯穿所述DBR反射层以电连接所述第一台面结构的底层；所述第二导电垫贯穿所述DBR反射层以电连接所述第二电流扩展层。

8.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述跨接导电块的俯视投影与所述第一导电垫和第二导电垫的俯视投影没有重叠部分。

9.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述第二导电垫俯视投影的一部分夹在两个所述跨接导电块之间。

10.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：还包括至少一个跨接电流阻挡块，所述跨接电流阻挡块覆盖所述第一台面结构的部分上表面和部分侧面，并覆盖所述第一台面结构和第二台面结构之间的部分凹槽，所述跨接导电块主体部分位于所述跨接电流阻挡块上。

11.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述跨接电流阻挡块的俯视投影具有头部和尾部；所述跨接导电块的俯视投影具有第一接触部、结部和第二接触部；所述结部落在所述头部内，所述第一接触部落在所述尾部内。

12.如权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，所述头部未与所述结部重叠的部分具有第一宽度，所述尾部未与所述第一接触部重叠的部分具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；所述第一宽度的大小为3μm至100μm；所述第二宽度的大小为大于或者等于0μm，并且小于或者等于至30μm 。

13.如权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，所述头部的宽度是所述尾部宽度的1.5倍以上。

14.如权利要求11所述的LED芯片，其特征在于，所述头部的宽度小于所述尾部的宽度。