[发明专利]一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺有效

专利信息
申请号: 202210530397.X 申请日: 2022-05-16
公开(公告)号: CN114864264B 公开(公告)日: 2023-06-30
发明(设计)人: 熊吉磊;陈敏;成丽春;李涛 申请(专利权)人: 安徽吉华新材料有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057
代理公司: 合肥汇融专利代理有限公司 34141 代理人: 陈维琴
地址: 246300 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 稀土 矫顽力 钕铁硼 永磁体 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于,所述制备工艺包括以下步骤:

(1)钕铁硼甩片制备:选取钕铁硼永磁体原料配比混合后放入真空速凝甩带炉中进行熔炼,熔炼完成后直接进行浇铸,制得厚度在0.20-0.30mm的甩带片状合金备用;

(2)重稀土合金体制备:采用真空感应熔炼炉制备重稀土合金铸锭,后对铸锭进行均化热处理,再风冷后表面抛光、外形加工制成溅射靶材备用;

(3)表面溅射处理:将上述步骤(2)中制成的溅射靶材使用磁控溅射的方式镀在步骤(1)的甩带片状合金上,得溅射后的混合材料备用,且混合材料中溅射靶材的重量占混合材料总重量的1-8%;

(4)氢破碎处理:将上述步骤(4)中的混合材料置于氢碎炉中进行氢破碎处理,饱和吸氢后不脱氢直接冷却出炉,得氢爆粉备用;

(5)气流磨处理:将上述步骤(4)中的氢爆粉置于气流磨粉机中进行磨粉处理,获得粒度分布为X10=0.6-0.7μm,X50=2.0-2.1μm,X90=3.8-3.9μm的细粉备用;

(6)磁场成型:将上述步骤(5)中的细粉放入到氧含量小于10ppm的全密封的磁场成型压机中取向成型,得生胚备用;

(7)烧结:将上述步骤(6)中的生胚进行高温烧结处理,后冷却得烧结胚备用;

(8)三级时效热处理:将上述步骤(7)中的烧结胚进行三级时效热处理,后在氩气保护下风冷至30℃以下出炉获得烧结钕铁硼永磁体。

2.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(1)中熔炼开始前真空度达到5.0E-2Pa,且熔炼温度为1490-1510℃,在浇铸过程中控制铜辊进水温度在10-15℃。

3.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(2)中均匀化热处理的方式为将铸锭在真空或氩气保护下于600℃温度下处理3h,且风冷的方式为充入氩气进行风冷。

4.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(4)中氢破碎的过程为抽真空使真空度达到5.0E-2Pa时充入氢气进行氢破碎,破碎过程中炉体温度≤80℃。

5.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(5)磨粉过程中氧含量控制在0ppm以下,整个气流磨在氮气保护下操作,控制氮气进气温度在5-10℃,研磨室外冷却循环水温度在5-10℃之间。

6.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(6)中磁场成型的磁场强度为2.0T,成型的压坯密度为4.5±0.5g/cm3

7.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(7)中烧结方式为真空烧结,且烧结温度为1050℃-1080℃,保温时间为120min,冷却方式为在氩气保护下风冷至30℃以下出炉。

8.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(7)中烧结方式为在放电等离子烧结炉中进行烧结,烧结温度为900-1000℃,保温5-7min,施加压力为150-200MPa。

9.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(8)中三级时效热处理为将烧结胚升温至850-950℃的热处理温度,保温1-2h,保温完成后风冷至100℃以下后升温至第二步热处理温度490-540℃,保温2-4h,保温完成后风冷至100℃以下后升温至第三步热处理温度450-500℃,保温2-4h。

10.根据权利要求1所述的一种低重稀土高矫顽力稀土钕铁硼永磁体的制备工艺,其特征在于:所述步骤(8)中三级时效热处理为将烧结胚放入真空热处理炉升温至840-870℃的热处理温度,保温1-2h,磁场强度2.0T-3.0T,保温完成后风冷至100℃以下后升温至第二步热处理温度510-520℃,保温2-4h,磁场强度1.5-2.5,保温完成后风冷至100℃以下后升温至第三步热处理温度480-490℃,保温2-4h,磁场强度0.5-1.0T。

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