[发明专利]一种氧化物TFT薄膜电路的制造方法

权利要求书

1.一种氧化物TFT薄膜电路的制造方法，所述薄膜电路包括TFT部和透明电极，所述TFT部包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极以及有源部，所述漏极与所述透明电极连接，其特征为：

先在基板上设置由所述栅极、栅绝缘层、源极、漏极以及透明电极构成的第一叠层，所述第一叠层的外侧面预留有用于设置所述有源部的设置位；然后，在所述设置位上设置所述有源部，所述有源部由氧化物半导体薄膜图形化而成。

2.如权利要求1所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：所述透明电极由氧化铟锡薄膜图形化而成。

3.如权利要求2所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：所述氧化铟锡薄膜在制作过程中采用高温镀膜或高温退火。

4.如权利要求1所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：所述氧化物半导体膜为IGZO薄膜。

5.如权利要求4所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：所述IGZO薄膜为非晶状态。

6.如权利要求1所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为在基板上实施以下步骤：

步骤一、镀制一层氧化物透明导电膜，并将其图形化为所述透明电极；

步骤二、镀制第一层金属膜，并将其图形化为所述栅极；

步骤三、镀制一层覆盖所述栅极的无机绝缘膜，并在其上设置开口或通孔，所述开口或通孔处于所述透明电极之上；

步骤四、镀制第二层金属膜，并将其图形化为所述源极、漏极和漏极引出部，所述漏极引出部延伸至所述开口或通孔而与所述透明电极形成连接，由此所述栅极、栅绝缘层、源极、漏极、漏极延伸部以及透明电极构成第一叠层结构，其中，所述源极和漏极隔着间隙相对设置，定义所述间隙为沟道区，所述栅极处于沟道区之内，所述源极、漏极和沟道区构成所述设置位；

步骤五、进一步镀制一层氧化物半导体膜，将其图形化为处于所述设置位上的有源层，所述有源层构成所述源极和漏极的连接。

7.如权利要求6所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：还进一步在有源部之上覆盖保护层，所述保护层为固化的光敏树脂涂层。

8.如权利要求1所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为在一基板上实施以下步骤：

步骤一、镀制第一层金属膜，并将其图形化为所述栅极；

步骤二、镀制一层覆盖所述栅极的无机绝缘膜；

步骤三、镀制一层氧化物透明导电膜，并将其图形化为所述透明电极；

步骤四、镀制第二层金属膜，并将其图形化为所述源极、漏极和漏极引出部，所述漏极引出部延伸并叠在部分透明电极上而与其形成连接，由此所述栅极、栅绝缘层、源极、漏极、漏极延伸部以及透明电极构成第一叠层结构，其中，所述源极和漏极隔着一间隙相对设置，定义所述间隙为沟道区，所述栅极处于沟道区之内，所述源极、漏极和沟道区构成所述设置位；

步骤五、进一步镀制一层氧化物半导体膜，将其图形化为处于所述设置位上的有源部，所述有源部构成所述源极和漏极的连接。

9.如权利要求8所述的氧化物TFT薄膜电路制造方法，其特征为：还进一步在有源部之上覆盖保护层，所述保护层为固化的光敏树脂涂层。