[发明专利]一种集成式半桥电路装置在审
申请号: | 202210523128.0 | 申请日: | 2022-05-13 |
公开(公告)号: | CN114977739A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 詹海峰;吴忠关;赵智星;谢峰;胡宪权;欧炜昌;冷昭君;万威;肖倩;何华兵 | 申请(专利权)人: | 湖南炬神电子有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/44 |
代理公司: | 长沙心智力知识产权代理事务所(普通合伙) 43233 | 代理人: | 张洪敏 |
地址: | 423000 湖南省郴州市*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 式半桥 电路 装置 | ||
1.一种集成式半桥电路装置,其特征在于,包括:
半桥驱动芯片以及驱动开关;
所述半桥驱动芯片的第HSGD端分别与第三十三电阻的一端以及第二十九电阻的一端相连,所述第三十三电阻的另一端与第七电容的一端相连,所述第七电容的的另一端以及所述第二十九电阻的另一端均与所述驱动开关的GH端相连;
所述半桥驱动芯片的GD0端分别连接第四十七电阻的一端以及第五十一电阻的一端,所述第五十一电阻的另一端以及所述第四十七电阻的另一端均与所述驱动开关的GL端相连。
2.如权利要求1所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述半桥驱动芯片的VCC端用于连接电压VCC,所述电压VCC还与第三十二电阻的一端相连,所述第三十二电阻的另一端与第一二极管的正极相连,所述第一二极管的负极分别与所述半桥驱动芯片的HSVCC端相连以及第二十四电容的一端相连,所述第二十四电容的另一端与所述半桥驱动芯片的HSGND端相连,所述第二十四电容的另一端还作为VHB端。
3.如权利要求1所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述半桥驱动芯片的CS1端连接第三十七电阻的一端,所述第三十七电阻的另一端与所述驱动开关的SL端均相连,所述驱动开关的SL端还分别与第二十三电容的一端以及第二十三A电容的一端相连,所述第二十三电容的另一端以及所述第二十三A电容的另一端均与变压器的第三端相连,所述变压器的第四端与所述驱动开关的SW端均相连。
4.如权利要求1所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述驱动开关的DH端均通过NC电容与所述驱动开关的SW端相连。
5.如权利要求3所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述第三十七电阻的一端与第三十六电容的一端相连,所述第三十七电阻的另一端与所述第四十电阻、第四十一电阻以及第四十二电阻并联后的一端相连,所述第三十六电容的另一端接地,所述第四十电阻、第四十一电阻以及第四十二电阻并联后的另一端也接地。
6.如权利要求3所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述变压器的第六端与第二二极管的正极相连,所述变压器的第五端与第三二极管的正极相连,所述第二二极管的负极分别连接第二十八电容的一端、第四二极管的负极以及N沟道MOS管的漏极,所述第二十八电容的另一端接地,所述第四二极管的正极以及所述N沟道MOS管的源极一端均与第五十电阻的一端、第四十二电容的一端以及第五二极管的正极相连,所述第五十电阻的另一端与所述N沟道MOS管的栅极以及第六二极管的负极相连,所述第六二极管的正极以及所述第四十二电容的另一端均接地,所述第五二极管的负极分别与第三十九电容的一端以及第三十三电容的一端相连,所述第三十九电容的另一端以及第三十三电容的另一端均接地,所述第三十三电容的一端还连接有电压VCC_AHB,所述第三十九电容的一端还连接所述半桥驱动芯片的VCC端。
7.如权利要求6所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述第三二极管的负极分别连接第六十二电容的一端以及第四十八电阻的一端,所述第六十二电容的另一端接地,所述第四十八电阻的另一端连接所述第四十二电容的一端。
8.如权利要求3所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述变压器的第一端接地,所述变压器的第二端通过第三十电阻连接所述半桥驱动芯片的ZCD端。
9.如权利要求3所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述变压器的第七端与所述第七二极管的负极以及N沟道MOS管的漏极相连,所述第七二极管的正极以及所述N沟道MOS管的源极均与若干个电容的一端相连,所述若干个电容的另一端与所述变压器的第八端相连。
10.如权利要求3所述的集成式半桥电路装置,其特征在于,所述变压器的第八端还与反馈网络电路相连。
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