[发明专利]三维堆叠存储芯片的测试方法及三维堆叠存储芯片

权利要求书

1.一种三维堆叠存储芯片的测试方法，其特征在于，所述存储芯片包括堆叠互连的至少两个晶粒，所述测试方法包括：

控制所述至少两个晶粒中之一获取期望数据；

通过所述至少两个晶粒中之另一的读写数据线得到测试数据，比对所述测试数据和所述期望数据以产生相应的比对结果，从而基于所述比对结果确定所述至少两个晶粒之间的连通性；其中，堆叠互连的所述至少两个晶粒的所述读写数据线通过所述至少两个晶粒间的堆叠互连结构彼此连接。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，堆叠互连的所述至少两个晶粒包括第一存储晶粒和第二存储晶粒，其中，所述第一存储晶粒和所述第二存储晶粒分别包括控制模块、读写数据线和存储阵列；所述第一存储晶粒包括与外界沟通的第一接口，所述第一存储晶粒和所述第二存储晶粒的读写数据线通过两个存储晶粒之间的堆叠互连结构彼此连接，所述第一存储晶粒的控制模块连接所述第一接口，所述第二存储晶粒的控制模块通过两个存储晶粒之间的堆叠互连结构连接至所述第一存储晶粒的控制模块并通过所述第一存储晶粒的控制模块连接至所述第一接口，或者所述第二存储晶粒的控制模块通过两个存储晶粒之间的堆叠互连结构连接至所述第一存储晶粒的所述第一接口；且所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构包括堆叠互连孔或者位于所述两个存储晶粒之间的其它晶粒和堆叠互连孔的组合。

3.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，

所述控制所述至少两个晶粒中之一获取期望数据，包括：

所述第二存储晶粒的控制模块通过所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构和所述第一存储晶粒的控制模块，或者所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构从所述第一接口获取所述测试输入指令，并基于所述测试输入指令，将所述期望数据写入至所述第二存储晶粒的读写数据线；

所述通过所述至少两个晶粒中之另一的读写数据线得到测试数据，比对所述测试数据和所述期望数据以产生相应的比对结果，从而基于所述比对结果确定所述至少两个晶粒之间的连通性，包括：

所述第一存储晶粒的读写数据线通过两个存储晶粒之间的堆叠互连结构获取所述第二存储晶粒的读写数据线上的数据，以得到所述测试数据；

所述第一存储晶粒比较所述测试数据和所述期望数据以产生相应的所述比对结果，且所述第一存储晶粒的控制模块通过所述第一接口输出所述比对结果，以使测试系统基于所述比对结果确定所述至少两个晶粒之间的连通性。

4.根据权利要求2所述的测试方法，其特征在于，

所述控制所述至少两个晶粒中之一获取期望数据，包括：

所述第一存储晶粒的控制模块通过所述第一接口接收测试输入指令；

所述第一存储晶粒的控制模块基于所述测试输入指令，将所述期望数据写入至所述第一存储晶粒的读写数据线；

所述通过所述至少两个晶粒中之另一的读写数据线得到测试数据，比对所述测试数据和所述期望数据以产生相应的比对结果，从而基于所述比对结果确定所述至少两个晶粒之间的连通性，包括：

所述第二存储晶粒的读写数据线通过所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构获取所述第一存储晶粒的读写数据线上的数据，以得到所述测试数据；

所述第二存储晶粒比较所述测试数据和所述期望数据以产生相应的所述比对结果，且所述第二存储晶粒的控制模块通过所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构和所述第一存储晶粒的控制模块，或者所述两个存储晶粒之间的堆叠互连结构从所述第一接口将所述比对结果输出，以使测试系统基于所述比对结果确定所述至少两个晶粒之间的连通性。