[发明专利]一种制备图案化石墨炔薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备图案化石墨炔薄膜的方法，其特征在于，包括：

方法1：在铜板基底上先制备出图案化的无机层，将需要石墨炔薄膜的区域暴露出来，将不需要石墨炔薄膜的区域用无机层覆盖，在没有无机层覆盖的区域生长出石墨炔薄膜；或

方法2：在任意基底上，先制备出图案化的铜层，只在有铜层的区域生长出石墨炔薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在铜板基底上先制备出图案化的无机层，将需要石墨炔薄膜的区域暴露出来，将不需要石墨炔薄膜的区域用无机层覆盖，在没有无机层覆盖的区域生长出石墨炔薄膜具体包括：

第一步：在铜板基底上沉积一层无机层；

第二步：在无机层上涂布正性光刻胶，利用光罩1对需要生长石墨炔薄膜的区域曝光，再将该部分光刻胶显影去除，进一步刻蚀该区域的无机层，从而暴露出该区域的金属铜层；将得到的图案化无机层上的光刻胶溶解去除；

第三步：以六乙炔基苯作为单体，通过Glaser-Hay偶联反应，在暴露的铜层区域生长石墨炔薄膜，从而得到图案化的石墨炔层；

第四步：在无机层和石墨炔层上涂布正性光刻胶，利用光罩2对图案化的无机层区域曝光，再将曝光区域的光刻胶显影去除，进一步刻蚀该区域的无机层，从而在铜板基底上仅保留图案化的石墨炔层，最后将图案化石墨炔层上的光刻胶溶解去除；或

在无机层和石墨炔层上涂布负性光刻胶，仍利用光罩1对图案化的石墨炔层区域曝光，从而在显影中保留该部分的光刻胶，进一步刻蚀剩余的无机层，从而在铜板基底上仅保留图案化的石墨炔层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述无机层为氮化硅或氧化硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：

在获得的石墨炔层沉积或者涂布其他基底；

利用化学溶液，将铜板基底溶解，从而将图案化的石墨炔层转移到其他基底上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述其他基底为透明导电玻璃或柔性的聚合物薄膜。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，

所述化学溶液为三氯化铁。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在任意基底上，先制备出图案化的铜层，只在有铜层的区域生长出石墨炔薄膜具体包括：

第一步：在任意基底上沉积一层金属铜层；

第二步：在金属铜层上涂布正性光刻胶，利用光罩对不需要生长石墨炔薄膜的区域曝光，再将该部分光刻胶显影去除，进一步刻蚀该区域的金属铜层，从而得到图案化的金属铜层；

第三步：以六乙炔基苯作为单体，通过Glaser-Hay偶联反应，在暴露的铜层区域生长石墨炔薄膜，从而得到图案化的石墨炔层。

8.一种根据权利要求1-7任一所述的方法制备的图案化石墨炔薄膜。