[发明专利]一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化方法及其应用在审
| 申请号: | 202210516580.4 | 申请日: | 2022-05-12 |
| 公开(公告)号: | CN114883516A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 刘岳峰;梁书语;夏虹 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯 |
| 地址: | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 激光 荧光 薄膜 图案 方法 及其 应用 | ||
1.一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)、荧光薄膜的制备;
具体步骤为:首先,将干净的玻璃衬底使用去离子水和无水乙醇交替用棉球擦拭六次,在封闭空间内自然阴干;然后取微量0.01-0.2mL荧光材料溶液旋涂在玻璃衬底上,在热台上退火制备荧光薄膜;
(2)保护层的贴附;
具体步骤为:将旋涂好的荧光薄膜倒置贴附在透明保护层上,形成透明保护层/荧光薄膜/玻璃衬底的三层结构;
(3)、激光图案化烧蚀;
具体步骤为:利用电脑程序控制激光聚焦在玻璃衬底的荧光薄膜上,调节激光功率、扫描速度以及重频实现烧蚀去除图案化;最后,在衬底上可得到编程可控的高精度的均匀的图案化的荧光薄膜。
2.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,步骤(1)的玻璃衬底尺寸为50*25*0.2毫米;所用棉球为医用脱脂棉球;所述荧光材料为CsPbBr3钙钛矿前驱体溶液、(PEA)2PbI4前驱体溶液或CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点溶液;所述旋涂转速为1000-3000转/s,旋涂时间30s。
3.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,所述CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点包括红光、绿光或蓝光CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点。
4.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,步骤(2)中所述的透明保护层为玻璃片、PET透明薄膜或光刻胶。
5.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,步骤(3)所述激光为飞秒激光,飞秒激光波长为343-1030nm,脉冲频率为1-500kHz,实验所需激光功率为10-200mW,扫描速度为0.1mm/s-2mm/s,使用40倍镜头聚焦,其数值孔径为0.65;所述激光光路为:首先,使激光器出射的飞秒激光经第一凸透镜L1和光闸G后再经第二凸透镜L2扩束,将光斑扩大,而后依次经第一全反镜M1、第二全反镜M2、第三凸透镜L3和第四凸透镜L4进行光束整形,并依次经衰减片S、第一半反半透镜M3和物镜聚焦后入射至待加工样品。
6.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,激光扫描方向采用逐点扫描的方式进行激光加工;首先,依据所设计的图案,激光扫描速度为0.1mm/s-2mm/s,激光的扫描速度决定了点间距,线间距设置为0.001mm-1mm。
7.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法,其特征在于,步骤(3)所述图案化荧光薄膜的线宽为0.002-5mm,烧蚀精度可达到0.65-10μm,粗糙度为2-10nm。
8.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法在防伪方面的应用。
9.如权利要求1所述的一种基于激光烧蚀的荧光薄膜图案化的方法在制备高性能发光二极管方面的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





