[发明专利]一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法

权利要求书

1.一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于，将固体催化剂进行多步骤的组合硅烷化改性处理，以实现固体催化剂的表面疏水性增强及表面羟基充分屏蔽，具体包括如下步骤：

将固体催化剂分散到有机溶剂中，加入硅烷化试剂1进行硅烷化改性处理，经溶剂洗涤、过滤、干燥后，得到第一次硅烷化改性的固体催化剂；将第一次硅烷化改性的固体催化剂重新分散到有机溶剂中，加入硅烷化试剂2进行硅烷化改性处理，经溶剂洗涤、过滤、干燥、焙烧后，得到改性固体催化剂。

2.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的固体催化剂指表面富含羟基的固体催化剂，包括分子筛催化剂、金属氧化物催化剂和负载型金属催化剂。

3.根据权利要求2所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的金属氧化物催化剂包括氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铈、氧化锌、氧化锆和氧化锡，负载型金属催化剂包括铜、铁、钴、镍和贵金属。

4.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的有机溶剂指可以溶解硅烷化试剂的有机溶剂，包括但不限于甲苯、二甲苯(邻、间、对)及环己烷中的任意一种或者几种组合，所述的有机溶剂与固体催化剂的液固比为20-500mL/g。

5.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的制备方法，其特征在于：所述的硅烷化改性试剂1指苯基三(二甲基硅氧烷基)硅烷、十八烷基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3-(三甲氧基甲硅烷基)-1-丙硫醇甲苯、辛基三甲氧基硅烷及γ-氨丙基三乙氧基硅烷的任意一种或者几种组合，硅烷化试剂1与固体催化剂的质量比为0.05-35g/g。

6.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的硅烷化改性试剂2指甲基三甲氧基硅烷、六甲基二硅氧烷、六甲基二硅氮烷、四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷和苯基二甲基乙氧基硅中的任意一种或者几种组合，硅烷化试剂2与固体催化剂的质量比为0.05-25g/g。

7.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的硅烷化改性温度为60-150℃，改性时间为0.5-30.0h。

8.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的硅烷化改性处理的气氛为空气或者氮气氛围。

9.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的溶剂指能够洗去固体催化剂表面未反应的硅烷化试剂的溶剂，包括但不限于甲苯、二甲苯(邻、间、对)及无水乙醇中的任意一种或者几种组合。

10.根据权利要求1所述的一种固体催化剂表面羟基屏蔽和表面改性的方法，其特征在于：所述的焙烧条件为：温度180-380℃、空气或氮气氛围下、焙烧时间为3-8h。